[发明专利]平板显示装置及其Top-OLED

权利要求书

1.一种Top-OLED，其特征在于，所述Top-OLED包括发光单元和设于所述发光单元光输出面的光输出耦合单元，所述光输出耦合单元包括自所述发光单元光输出面依次层叠设置的第一光输出耦合层和第二光输出耦合层，其中所述第一光输出耦合层的折射率大于所述第二光输出耦合层折射率，所述光输出耦合单元进一步包括层叠设置于所述第二光输出耦合层上的第三光输出耦合层，所述第二光输出耦合层的折射率大于所述第三光输出耦合层折射率，所述发光单元包括依次层叠设置的TFT基板、ITO阳极、空穴注入层、空穴传输层、R/G/B/Y发光层、电子传输层、电子注入层以及金属阴极，所述光输出耦合单元设于所述金属阴极上，

所述ITO阳极采用Ag，厚度为1000A；

所述空穴注入层采用MoO3，厚度为50A；

所述空穴传输层采用NPB，厚度为300A；

所述R/G/B/Y发光层采用TCTA:(ppy)2Ir(acac)，厚度为150A；

所述电子传输层采用TmPyPb，厚度为300a；

所述电子注入层采用LiF，厚度为10A；

所述金属阴极采用Mg：Ag(1:9)，厚度为200A；

所述第一光输出耦合层采用NPB，厚度为200A；

所述第二光输出耦合层122采用NPB：LiF(1：1)，厚度为200A；

所述第三光输出耦合层采用LiF，厚度为200A。

2.根据权利要求1所述的Top-OLED，其特征在于，所述第一光输出耦合层采用折射率为1.75以上的有机或无机材料。

3.根据权利要求1所述的Top-OLED，其特征在于，所述第一光输出耦合层采用ZnS、ZnSe、ITO或IZO。

4.根据权利要求1所述的Top-OLED，其特征在于，所述第二光输出耦合层采用折射率为1.4至1.75的有机、无机或复合材料。

5.根据权利要求4所述的Top-OLED，其特征在于，所述无机材料采用LaF3、YF3或CeF3；

所述有机材料采用TcTa、Alq3或Liq；

所述复合材料采用有机材料与MgF、LiF或NaF共蒸镀形成的单层结构。

6.根据权利要求1所述的Top-OLED，其特征在于，所述第三光输出耦合层采用射率在1.1至1.4的有机或无机材料。

7.根据权利要求6所述的Top-OLED，其特征在于，所述第三光输出耦合层采用MgF、NaF、KF或BaF2。

8.一种平板显示装置，其特征在于，所述平板显示装置包括权利要求1至7中任一项所述的Top-OLED。