[发明专利]消除比较器失调电压的振荡器有效
申请号: | 201710405781.6 | 申请日: | 2017-05-27 |
公开(公告)号: | CN107317568B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 袁志勇 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H03K3/011 | 分类号: | H03K3/011;H03K3/023 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 消除 比较 失调 电压 振荡器 | ||
1.一种消除比较器失调电压的振荡器,其特征在于,包括:
第一电容和第二电容,所述第一电容的第一端通过第一开关接第一电流源、所述第一电容的第一端和第二端通过第二开关连接;所述第二电容的第一端通过第三开关接第一电流源、所述第二电容的第一端和第二端通过第四开关连接,所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端都连接到公共端;
比较器,所述比较器的第一输入端通过第六开关连接所述第二电容的第一端,所述比较器的第二输入端通过第五开关连接所述第一电容的第一端;所述比较器的第一输入端通过第八开关连接比较电压,所述比较器的第二输入端通过第七开关连接比较电压;
第二电流路径和第三电流路,所述第二电流路径包括第二电流源和第一MOS晶体管,所述第三电流路径包括第三电流源和第二MOS晶体管;
所述第一电流源、所述第二电流源和所述第三电流源互为镜像电流;
所述第一MOS晶体管的漏极、栅极和所述第二MOS晶体管的栅极连接在一起,所述第一MOS晶体管的源极连接到所述公共端,所述第二MOS晶体管的源极通过第一电阻连接到所述公共端,所述第一MOS晶体管的漏极连接所述第二电流源,所述第二MOS晶体管的漏极连接所述第三电流源,由所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的栅源电压差除以所述第一电阻的值确定所述第三电流源的大小;所述第一MOS晶体管的栅极作为所述比较电压的输出端,所述比较电压由所述第一MOS晶体管的栅源电压确定;
所述比较器的输出端连接到数字模块,所述数字模块输出时钟输出信号、第一控制信号和第二控制信号;所述第一控制信号到所述第一开关、所述第四开关、所述第五开关和所述第八开关,所述第二控制信号到所述第二开关、所述第三开关、所述第六开关和所述第七开关,所述第一控制信号和所述第二控制信号为互为反相的时钟信号。
2.如权利要求1所述的消除比较器失调电压的振荡器,其特征在于:所述第一MOS晶体管为NMOS管,所述第二MOS晶体管为NMOS管,所述公共端为接地端。
3.如权利要求2所述的振荡器,其特征在于:所述第一电流源包括第一PMOS管,所述第二电流源包括第二PMOS管,所述第三电流源包括第三PMOS管;
所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和漏极连接在一起;
所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极都接电源电压;
所述第一PMOS管的漏极为所述第一电流源的输出端;所述第二PMOS管的漏极为所述第二电流源的输出端;所述第三PMOS管的漏极为所述第三电流源的输出端。
4.如权利要求1所述的消除比较器失调电压的振荡器,其特征在于:所述第一MOS晶体管为PMOS管,所述第二MOS晶体管为PMOS管,所述公共端为电源电压端。
5.如权利要求4所述的消除比较器失调电压的振荡器,其特征在于:所述第一电流源包括第一NMOS管,所述第二电流源包括第二NMOS管,所述第三电流源包括第三NMOS管;
所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和漏极连接在一起;
所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的源极都接地;
所述第一NMOS管的漏极为所述第一电流源的输出端;所述第二NMOS管的漏极为所述第二电流源的输出端;所述第三NMOS管的漏极为所述第三电流源的输出端。
6.如权利要求1所述的消除比较器失调电压的振荡器,其特征在于:所述第一电阻的值为1MΩ。
7.如权利要求1所述的消除比较器失调电压的振荡器,其特征在于:所述第一电容和所述第二电容的电容值相等。
8.如权利要求1所述的消除比较器失调电压的振荡器,其特征在于:所述第一电流源、所述第二电流源和所述第三电流源的电流大小相等。
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