[发明专利]消除比较器失调电压的振荡器有效

专利信息
申请号: 201710405781.6 申请日: 2017-05-27
公开(公告)号: CN107317568B 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 袁志勇 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H03K3/011 分类号: H03K3/011;H03K3/023
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 消除 比较 失调 电压 振荡器
【权利要求书】:

1.一种消除比较器失调电压的振荡器,其特征在于,包括:

第一电容和第二电容,所述第一电容的第一端通过第一开关接第一电流源、所述第一电容的第一端和第二端通过第二开关连接;所述第二电容的第一端通过第三开关接第一电流源、所述第二电容的第一端和第二端通过第四开关连接,所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端都连接到公共端;

比较器,所述比较器的第一输入端通过第六开关连接所述第二电容的第一端,所述比较器的第二输入端通过第五开关连接所述第一电容的第一端;所述比较器的第一输入端通过第八开关连接比较电压,所述比较器的第二输入端通过第七开关连接比较电压;

第二电流路径和第三电流路,所述第二电流路径包括第二电流源和第一MOS晶体管,所述第三电流路径包括第三电流源和第二MOS晶体管;

所述第一电流源、所述第二电流源和所述第三电流源互为镜像电流;

所述第一MOS晶体管的漏极、栅极和所述第二MOS晶体管的栅极连接在一起,所述第一MOS晶体管的源极连接到所述公共端,所述第二MOS晶体管的源极通过第一电阻连接到所述公共端,所述第一MOS晶体管的漏极连接所述第二电流源,所述第二MOS晶体管的漏极连接所述第三电流源,由所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的栅源电压差除以所述第一电阻的值确定所述第三电流源的大小;所述第一MOS晶体管的栅极作为所述比较电压的输出端,所述比较电压由所述第一MOS晶体管的栅源电压确定;

所述比较器的输出端连接到数字模块,所述数字模块输出时钟输出信号、第一控制信号和第二控制信号;所述第一控制信号到所述第一开关、所述第四开关、所述第五开关和所述第八开关,所述第二控制信号到所述第二开关、所述第三开关、所述第六开关和所述第七开关,所述第一控制信号和所述第二控制信号为互为反相的时钟信号。

2.如权利要求1所述的消除比较器失调电压的振荡器,其特征在于:所述第一MOS晶体管为NMOS管,所述第二MOS晶体管为NMOS管,所述公共端为接地端。

3.如权利要求2所述的振荡器,其特征在于:所述第一电流源包括第一PMOS管,所述第二电流源包括第二PMOS管,所述第三电流源包括第三PMOS管;

所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和漏极连接在一起;

所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极都接电源电压;

所述第一PMOS管的漏极为所述第一电流源的输出端;所述第二PMOS管的漏极为所述第二电流源的输出端;所述第三PMOS管的漏极为所述第三电流源的输出端。

4.如权利要求1所述的消除比较器失调电压的振荡器,其特征在于:所述第一MOS晶体管为PMOS管,所述第二MOS晶体管为PMOS管,所述公共端为电源电压端。

5.如权利要求4所述的消除比较器失调电压的振荡器,其特征在于:所述第一电流源包括第一NMOS管,所述第二电流源包括第二NMOS管,所述第三电流源包括第三NMOS管;

所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和漏极连接在一起;

所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的源极都接地;

所述第一NMOS管的漏极为所述第一电流源的输出端;所述第二NMOS管的漏极为所述第二电流源的输出端;所述第三NMOS管的漏极为所述第三电流源的输出端。

6.如权利要求1所述的消除比较器失调电压的振荡器,其特征在于:所述第一电阻的值为1MΩ。

7.如权利要求1所述的消除比较器失调电压的振荡器,其特征在于:所述第一电容和所述第二电容的电容值相等。

8.如权利要求1所述的消除比较器失调电压的振荡器,其特征在于:所述第一电流源、所述第二电流源和所述第三电流源的电流大小相等。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710405781.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top