[发明专利]一种带有低阻内封接头的钇系超导带材及其制备方法

权利要求书

1.一种带有低阻内封接头的钇系超导带材，其特征在于，包括带接头的钇系超导长带(1)和包覆填充结构(2)；所述带接头的钇系超导长带(1)包括多段钇系超导短带(101)，相邻两段钇系超导短带之间通过银扩散法接头(11)连接；所述包覆填充结构(2)密封地包裹在带接头的钇系超导长带的外部。

2.根据权利要求1所述的带有低阻内封接头的钇系超导带材，其特征在于，所述银扩散法接头(11)采用银扩散法，通过如下任一种方式连接：

-搭接方式，两段相邻钇系超导短带(101)的YBCO面(1011)相对设置；

-桥接方式，两段相邻的钇系超导短带(101)的YBCO面(1011)与桥接用超导补丁带材(102)的YBCO面(1011)相对设置。

3.根据权利要求2所述的带有低阻内封接头的钇系超导带材，其特征在于，所述银扩散法采用电炉(305)在空气中加压热处理的方法。

4.根据权利要求2所述的带有低阻内封接头的钇系超导带材，其特征在于，相邻两段钇系超导短带的连接处设有软质金属薄片(103)；所述软质金属薄片(103)采用铂、银、金中的任意一种或任意多种的组合；

所述连接处包括如下两种情况：

-搭接方式，相邻两段钇系超导短带的重合处为连接处；

-桥接方式，相邻两段钇系超导短带与桥接用超导补丁带材的重合处为连接处。

5.根据权利要求1所述的带有低阻内封接头的钇系超导带材，其特征在于，所述包覆填充结构(2)包括金属上包覆层(12)、金属下包覆层(13)以及电连通焊接金属层(14)；所述带接头的钇系超导长带设置于金属上包覆层和金属下包覆层之间，所述金属上包覆层与带接头的钇系超导长带之间以及带接头的钇系超导长带与金属下包覆层之间均填充有电连通焊接金属层。

6.根据权利要求5所述的带有低阻内封接头的钇系超导带材，其特征在于，所述金属上包覆层(12)、金属下包覆层(13)分别采用紫铜、黄铜、铜合金、不锈钢、铝、Cu-Be合金、Cu-Ni合金中的任意一种或任意多种的组合；

所述金属上包覆层(12)和金属下包覆层(13)的宽度分别大于带接头的钇系超导长带(1)5％-30％；和/或

所述电连通焊接金属层(14)采用熔融温度在280℃以下、电阻率在50uΩ·cm以下的铟、银、锡、铜、锌、铅、镍、镉中的任意一种或任意多种的合金材料。

7.根据权利要求1所述的带有低阻内封接头的钇系超导带材，其特征在于，所述包覆填充结构(2)的长度大于20米。

8.一种带有低阻内封接头的钇系超导带材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1，将多段钇系超导短带(101)，逐个用银扩散法制作银扩散法接头(11)，使其成为带接头的钇系超导长带(1)；

步骤S2，对带接头的钇系超导长带(1)进行镀铜保护，电镀铜层厚度为1um-20um；

步骤S3，将金属上包覆层(12)、带接头的钇系超导长带(1)、金属下包覆层(13)依照位置关系送入装有液体电连通焊接金属材料的制备装置中，通过挤压成型，形成具有金属上包覆层(12)、带接头的钇系超导长带(1)、金属下包覆层(13)以及电连通焊接金属层(14)的带有低阻内封接头的钇系超导带材。