[发明专利]等离子体处理晶片的方法、等离子体控制方法及反应系统

权利要求书

1.一种等离子体处理晶片的方法，包括：

将一晶片设置于一反应腔体内的一支撑件上；

于该反应腔体内产生一等离子体，并通过一第一偏压使该等离子体中的离子射向该晶片；

分别在该支撑件的周围的一第一位置及一第二位置上检测该等离子体的一第一离子浓度及一第二离子浓度；

比较该第一离子浓度及该第二离子浓度；以及

当该第一离子浓度与该第二离子浓度的差异大于一临界值，使用多个等离子体位移控制器于该反应腔体内产生一第二偏压，以改变该等离子体中的离子的行进方向；其中该等离子体中的离子通过该第二偏压注入该晶片的一第一区域，但不注入该晶片不同于该第一区域的一第二区域，其中所述多个等离子体位移控制器位于穿越该反应腔体的一圆心的一直线上，其中所述多个等离子体位移控制器的输出电压随时间变化，且所述多个等离子体位移控制器以一双极性脉冲模式提供输出电压及频率。

2.如权利要求1所述的等离子体处理晶片的方法，其中当该第一位置的离子浓度小于该第二位置的离子浓度，则该等离子体中的离子通过该第二偏压朝向由该第二位置朝向该第一位置的方向位移。

3.如权利要求1所述的等离子体处理晶片的方法，其中该等离子体中的离子通过该第一偏压以一第一方向射向该晶片，且该等离子体中的离子通过该第二偏压而产生不同于该第一方向的一第二方向的位移。

4.如权利要求1所述的等离子体处理晶片的方法，其中所述多个等离子体位移控制器包括设置于该反应腔体外且围绕该反应腔体的一第一等离子体位移控制器及一第二等离子体位移控制器，且产生该第二偏压的步骤包括：

使用该第一等离子体位移控制器产生一第一输出电压；

使用该第二等离子体位移控制器产生一第二输出电压；以及

通过该第一输出电压与该第二输出电压产生该第二偏压。

5.一种等离子体控制方法，包括：

提供一支撑件于一反应腔体内，其中该支撑件的周围设置有多个隔离的区段，并且每一所述隔离的区段上具有一导电元件；

通过每一所述导电元件检测由一第一方向射向该支撑件的一等离子体的离子，以产生多个对应电流；

根据所述多个对应电流，决定每一所述隔离的区段的离子浓度；以及

提供一第一等离子体位移控制器和一第二等离子体位移控制器，根据每一所述隔离的区段的离子浓度，使用该第一等离子体位移控制器产生一第一输出电压及该第二等离子体位移控制器产生一第二输出电压，并通过该第一输出电压和该第二输出电压产生一偏压而决定该等离子体的离子于一第二方向上的位移，其中该第一方向不同于该第二方向，其中该第一等离子体位移控制器和该第二等离子体位移控制器位于穿越该反应腔体的一圆心的一直线上，其中该第一等离子体位移控制器的该第一输出电压及该第二等离子体位移控制器的该第二输出电压随时间变化，且该第一等离子体位移控制器及该第二等离子体位移控制器以一双极性脉冲模式提供输出电压及频率。

6.如权利要求5所述的等离子体控制方法，其中该第一方向垂直于该第二方向。

7.一种等离子体反应系统，包括：

一上电极组件，位于一反应腔体上方，并耦接至一第一射频电源；

一支撑件，设置于该反应腔体内，并耦接至一第二射频电源；以及

多个等离子体位移控制器，设置于该反应腔体外，且围绕该反应腔体内介于该支撑件与该上电极组件之间的一空间，其中所述多个等离子体位移控制器的至少一者和该第一射频电源通过一阻抗匹配电路共同耦接至该上电极组件，其中所述多个等离子体位移控制器的输出电压随时间变化，且所述多个等离子体位移控制器以一双极性脉冲模式提供输出电压及频率。

8.如权利要求7所述的等离子体反应系统，其中所述多个等离子体位移控制器包括一第一等离子体位移控制器及一第二等离子体位移控制器，该第一等离子体位移控制器与该第二等离子体位移控制器设置于该反应腔体的相对两侧。