[发明专利]用于对准晶体管的阈值电压的集成电路制造工艺

权利要求书

1.一种制造集成电路的方法，所述方法包括：

针对包含所述集成电路的第一版本的第一芯片获取第一数据，所述集成电路包括阈值电压将被调整的晶体管，所述集成电路包括具有不同阈值电压值的多个其它晶体管，所述集成电路的所述第一版本包括与所述多个其它晶体管中的第一晶体管耦合的所述晶体管；

基于i)获取的所述第一数据以及ii)与所述晶体管的所述阈值电压有关的针对所述集成电路的一个或多个要求，确定所述晶体管应与所述多个其它晶体管中的第二晶体管耦合；

响应于确定所述晶体管应与所述多个其它晶体管中的所述第二晶体管耦合，选择用于将所述晶体管与所述多个其它晶体管中的所述第二晶体管耦合的一个或多个掩模，以调整所述晶体管的所述阈值电压；

针对包含所述集成电路的第二版本的第二芯片获取第二数据，所述集成电路的所述第二版本包括与所述多个其它晶体管中的所述第二晶体管耦合的所述晶体管；

基于获取的所述第二数据，确定所述集成电路的所述第二版本满足所述一个或多个要求；以及

响应于确定所述集成电路的所述第二版本满足所述一个或多个要求，基于所述集成电路的所述第二版本准备最终集成电路设计用于生产。

2.根据权利要求1所述的方法，其中获取所述第一数据和所述第二数据包括：获取与SRAM有关的数据，所述SRAM包括所述阈值电压被调整的所述晶体管。

3.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述晶体管应与所述多个其它晶体管中的所述第二晶体管耦合包括：确定所述晶体管应与核心逻辑器件的多个晶体管中的一个晶体管耦合。

4.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述晶体管应与所述多个其它晶体管中的所述第二晶体管耦合包括：确定所述晶体管应与具有所述不同阈值电压值的所述多个其它晶体管中的一个晶体管耦合，具有所述不同阈值电压值的所述多个其它晶体管包括以下中的至少两个：具有标准阈值电压SVT值的晶体管、具有高阈值电压HVT值的晶体管、具有低阈值电压LVT值的晶体管以及具有超低阈值电压ULVT值的晶体管。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

获取所述第一数据包括：获取与具有标准阈值电压SVT值的晶体管耦合的所述晶体管有关的数据，以及

获取所述第二数据包括：获取与具有高阈值电压HVT值的晶体管、具有低阈值电压LVT值的晶体管或具有超低阈值电压ULVT值的晶体管中的一个晶体管耦合的所述晶体管有关的数据。

6.根据权利要求1所述的方法，其中获取所述第一数据和获取所述第二数据包括：获取在工艺、电压和温度极限下测试的所述第一芯片和所述第二芯片的硅特性数据。