[发明专利]一种基于光响应的量子点/石墨烯薄膜光探测材料及其制备和应用有效
申请号: | 201710409796.X | 申请日: | 2017-06-02 |
公开(公告)号: | CN107195707B | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 李耀刚;谢赫;侯成义;王宏志;张青红 | 申请(专利权)人: | 东华大学 |
主分类号: | H01L31/0256 | 分类号: | H01L31/0256;H01L31/028;H01L31/0328;H01L31/18 |
代理公司: | 31233 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人: | 黄志达 |
地址: | 201620 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 响应 量子 石墨 薄膜 探测 材料 及其 制备 应用 | ||
1.一种基于光响应的量子点/石墨烯薄膜光探测材料,其特征在于:所述探测材料包括:基底层、响应传输双功能层和增强响应层;其中基底层材料为柔性材料;响应传输双功能层材料为具有导电和光响应的材料;增强响应层材料为光响应的量子点材料;其中所述柔性材料为PET膜或棉布;具有导电和光响应的材料为石墨烯;光响应的量子点材料硫氮共掺杂石墨烯量子点。
2.一种如权利要求1所述的基于光响应的量子点/石墨烯薄膜光探测材料的制备方法,包括:
步骤(1)室温条件下,将氧化石墨GO加入去离子水中,搅拌,超声分散,得到GO分散液,然后离心分离后取上层清液;将柔性材料放入砂芯漏斗,置于微孔滤膜之上,再将上层清液倒入砂芯漏斗,真空抽滤,然后进行化学还原,得到以柔性材料为基底的石墨烯薄膜;
步骤(2)在以柔性材料为基底的石墨烯薄膜表面负载上具有光响应的量子点材料,即得基于光响应的量子点/石墨烯薄膜光探测材料。
3.根据权利要求2所述的一种基于光响应的量子点/石墨烯薄膜光探测材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中GO分散液的浓度为0.5~3mg/mL,离心分离速率为2000~5000转/分钟。
4.根据权利要求2所述的一种基于光响应的量子点/石墨烯薄膜光探测材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中柔性材料为预处理后的柔性材料,具体为:先用乙醇与去离子水交替清洗,再用盐酸清洗、超声,然后用乙醇与去离子水再次交替清洗,真空干燥。
5.根据权利要求4所述的一种基于光响应的量子点/石墨烯薄膜光探测材料的制备方法,其特征在于:所述用盐酸清洗为用浓度为1~6mol/L的盐酸清洗,超声时间为1~8h;真空干燥温度为40~70℃,干燥时间为4~8h。
6.根据权利要求2所述的一种基于光响应的量子点/石墨烯薄膜光探测材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中化学还原为:采用氢碘酸化学还原1~3h。
7.根据权利要求2所述的一种基于光响应的量子点/石墨烯薄膜光探测材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中负载为:通过喷涂法,刮涂法,旋涂法,气相沉积进行负载。
8.一种如权利要求1所述的基于光响应的量子点/石墨烯薄膜光探测材料的应用,其特征在于:基于光响应的量子点/石墨烯薄膜光探测材料用于智能可穿戴设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的