[发明专利]一种生产三氯甲硅烷的方法

说明书

本发明公开了一种将四氯化硅连续反应生成三氯甲硅烷的方法，其方法包括：将四氯化硅、金属硅粉以及催化剂经混合进料器混合后通入喷动床反应器，并使四氯化硅与金属硅粉形成床层，氢气经由喷动床反应器底部的气体分布盘通入，形成喷动床进行反应，生成三氯甲硅烷与氢气不断排出反应器。其装置系统包括喷动床反应器和混合进料器，同时配有金属硅粉烘干器、硅粉进料器、四氯化硅加热器、过滤器、氢气罐、氢气进料器、精馏系统以及渣浆回收器等。本发明方法反应温度较低，转化速率较高，系统内无固体颗粒，能够显著降低多晶硅的生产成本及设备维护成本。

技术领域

本发明涉及一种利用四氯化硅生产三氯甲硅烷的方法，更具体来说涉及一种在高压条件下将液态四氯化硅与金属硅粉连续氢化转化为三氯甲硅烷的方法。本案是2015104455138(一种生产三氯甲硅烷的方法及装置)的分案申请。

背景技术

目前，绝大多数的多晶硅生产方法是改良西门子工艺。这种工艺存在的一个主要缺点为：采用三氯甲硅烷为原料进行多晶硅沉积，反应过程中，生成大量副产物四氯化硅，若不加以循环利用，将危害环境并造成极大的原料浪费，严重影响生产成本。目前已大规模工业化的四氯化硅循环利用技术主要为冷氢化和热氢化，均为将四氯化硅重新转化为原料三氯甲硅烷的途径。热氢化技术是在热氢化炉内以石墨或碳复合材料作为电加热件，压力为0.4～0.8MPa的，温度为1200～1300℃的条件下使氢气与四氯化硅反应生成三氯甲硅烷的过程。热氢化的工艺流程及设备均较为简单，投资规模较小，但热氢化能耗高，平均生产一千克三氯甲硅烷的耗电量一般不低于3kWh，使多晶硅生产总成本难以控制，并且在热氢化炉中的电加热件上极易沉积硅，导致加热效果降低，更严重时出现火花放电损坏设备，降低了设备使用率并增加了维护成本。冷氢化技术是在流化床反应器内以冶金级硅粉作为床层原料，通入氢气和四氯化硅，在压力为2～4MPa，温度为500～550℃的条件下进行反应生成三氯甲硅烷。冷氢化生产三氯甲硅烷单位电耗仅为0.6～0.8kWh/kg，且单台设备处理规模较大，四氯化硅单程转化率可超过25％。但冷氢化工艺流程复杂，设备投资规模较大，并且系统内涉及高温高压下的固体硅粉气力输送，由于硅粉硬度极高，在气固流态化体系中极易磨蚀设备，生产线维护费用较高切难以保证长周期连续运行。

现有技术无论是热氢化或冷氢化，主要均为气相中四氯化硅的氢化反应。热氢化及冷氢化的反应均为可逆反应，反应平衡常数不高，而在气相反应中，反应物与产物不分离，生成的产物将影响反应物的进一步反应，并且气相中气体分子密度较低，反应速率难以提高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种适合将液态四氯化硅和金属硅粉连续与氢气反应生产三氯甲硅烷的方法，该方法通过在高压及温度介于四氯化硅和三氯甲硅烷临界温度之间的条件下将氢气通入液态四氯化硅，形成喷动床进行反应生成气态三氯甲硅烷。该方法使用的装置主要包含喷动床反应器与混合进料器，同时配有金属硅粉烘干器、硅粉进料器、四氯化硅加热器、过滤器、氢气罐、氢气进料器、精馏系统以及渣浆回收器等。液态四氯化硅、金属硅粉和/或催化剂在混合进料器内混合后通入喷动床反应器，氢气从反应器底部通入经氢气分布盘分布后与床层进行反应生成气态三氯甲硅烷。

本发明采用技术方案如下：

一种将液态四氯化硅与氢气和硅粉连续反应生产三氯甲硅烷的方法，其特征在于在高压条件下，将四氯化硅、金属硅粉和/或催化剂经混合进料器混合，通入喷动床反应器，氢气经由喷动床反应器底部的气体分布盘通入，形成喷动床进行反应，生成三氯甲硅烷与氢气不断排出反应器。

其中，所述的将喷动床反应温度控制在高于三氯甲硅烷临界温度且低于四氯化硅临界温度的区间内，反应压力控制在使四氯化硅为液态，使液态四氯化硅与固体硅粉形成液固相的床层。

其中，所述喷动床反应器内压力为2～4MPa，优选地为3.5～3.8MPa。

其中，所述喷动床反应器优选地为圆柱形结构，液态四氯化硅装填液面不超过二分之一高度。