[发明专利]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，并且更具体地，涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

在显示技术领域，目前广泛使用的显示器件按照屏幕材质主要包括两种，即液晶显示器件(Liquid Crystal Display,LCD)和有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,OLED)。OLED具有自发光、视角广、寿命长和节能环保等特点，目前OLED显示器与照明行业发展迅速，已成为重要的显示设计。OLED中的有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Display,AMOLED)显示面板具有呈阵列式排布的像素，每一像素由数个薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)与存储电容构成的驱动电路进行驱动，属于主动显示类型，发光效能高，通常用于高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED一般采用2T1C的驱动电路，该驱动电路包括开关TFT、驱动TFT以及存储电容，开关TFT通过存储电容控制驱动TFT的打开与关闭，通过驱动TFT在饱和状态时产生的电流驱动AMOLED工作。

在现有的AMOLED的2T1C驱动电路中，开关TFT和驱动TFT的有源区通常使用同一种沟道材料，为氧化物半导体或低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)材料。在使用LTPS作为有源区沟道材料时，虽然LTPS材料的电子迁移率高，但是大面积均一性不好，如果用在驱动TFT的有源层，则易造成电流不均，影响AMOLED亮度调节；同时，氧化物半导体材料虽然均一性较好，漏电很低，但其电子迁移率低，并不十分适合作为开关TFT的有源层沟道材料。

因此，需要提供一种改进的阵列基板及显示装置，使其具有快的开关速度和高的发光均一性。

发明内容

针对上述现有技术中的问题，本申请提出了一种阵列基板及显示装置，达到快的开关速度和高的发光均一性的目的。

一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括依次设置的基板、缓冲层和有源层，该有源层包括第一有源区、第二有源区，其中，第一有源区的导电沟道由低温多晶硅组成，第二有源区的导电沟道由氧化物半导体组成。本发明的阵列基板通过将LTPS作为第一有源区的导电沟道材料，同时将氧化物半导体作为第二有源区的导电沟道材料，使该阵列基板具有快的开关速度和高的发光均一性。

根据本方面的一种可能的实现方式，该阵列基板还包括沉积于基板和缓冲层之间的氮硅化物缓冲层，该氮硅化物缓冲层位于第一有源区的下方。通过该实现方式，能够借助于氮硅化物的氢化作用，进一步提高LTPS材料的电子迁移率，提升器件的性能。

根据本方面的一种可能的实现方式，该有源层还包括存储电容下电极，该存储电容下电极也由低温多晶硅组成。

根据本方面的一种可能的实现方式，第一有源区和存储电容下电极由非晶硅材料经过结晶工艺而获得，其中，该结晶工艺为快速热退火、准分子激光退火或固相结晶中的一种。

根据本方面的一种可能的实现方式，第一有源区还包括分别位于第一有源区的导电沟道两侧的第一源极区和第一漏极区。

根据本方面的一种可能的实现方式，第一源极区、第一漏极区和存储电容下电极为通过离子掺杂而得到。

根据本方面的一种可能的实现方式，氧化物半导体材料为铟镓锌氧化物或铟锡锌氧化物。

根据本方面的一种可能的实现方式，阵列基板还包括依次设置于有源层上的第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、保护层、平坦层、透明电极层以及像素定义层。

另一方面，本发明提供了一种显示装置，该显示装置包括上述方面及其可能的实现方式中任一项所述的所述的阵列基板。

本发明的阵列基板通过将LTPS材料作为第一有源区的导电沟道材料，同时将氧化物半导体材料作为第二有源区的导电沟道材料，使该阵列基板具有快的开关速度和高的发光均一性。

上述技术特征可以各种适合的方式组合或由等效的技术特征来替代，只要能够达到本发明的目的。

附图说明

在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：

图1显示了根据本发明实施例的阵列基板的结构示意图。

图2显示了根据本发明另一实施例的阵列基板的结构示意图。

在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作进一步说明。