[发明专利]显示装置有效

专利信息
申请号: 201710412650.0 申请日: 2017-06-05
公开(公告)号: CN107490910B 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: 全映宰;刘一;金承来;金春燕;朴钒首;朴宰贤;李尚柱;玄慧媛 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L27/12
代理公司: 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 代理人: 李英艳;冯志云
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括:

基底;

栅导体,直接设置在所述基底上并包括栅线和栅电极;

栅绝缘层,设置在所述栅导体上并包括交叠部分和非交叠部分,该交叠部分交叠所述栅导体,该非交叠部分连接到所述交叠部分,不交叠所述栅导体并且与所述基底间隔开,空间提供在所述栅绝缘层与所述基底之间;以及

半导体图案,设置在所述栅绝缘层上并交叠所述栅电极,

其中所述栅绝缘层的边缘比所述栅导体的边缘和所述半导体图案的边缘进一步突出。

2.如权利要求1所述的显示装置,其中所述栅绝缘层的所述边缘的形状与所述栅导体的所述边缘的形状基本上相同。

3.如权利要求1所述的显示装置,其中所述栅导体的所述边缘比所述半导体图案的所述边缘进一步突出。

4.如权利要求3所述的显示装置,其中所述半导体图案的所述边缘的形状与所述栅电极的所述边缘的形状基本上相同。

5.如权利要求3所述的显示装置,其中所述半导体图案与由同一层形成的其它部件隔离。

6.如权利要求1所述的显示装置,其中所述半导体图案交叠所述栅导体。

7.一种显示装置,包括:

基底;

栅导体,直接设置在所述基底上并包括栅线和栅电极;

栅绝缘层,设置在所述栅导体上并包括交叠部分和非交叠部分,该交叠部分交叠所述栅导体,该非交叠部分连接到所述交叠部分,不交叠所述栅导体并且与所述基底间隔开;

半导体图案,设置在所述栅绝缘层上并交叠所述栅电极;以及

数据导体,设置在所述基底上并包括与所述栅线绝缘的数据线、连接到所述数据线和所述半导体图案的源电极以及连接到所述半导体图案并与所述源电极间隔开的漏电极,

其中所述栅绝缘层的边缘比所述栅导体的边缘和所述半导体图案的边缘进一步突出;并且

其中所述漏电极包括第一部分以及连接到所述第一部分并设置在所述栅绝缘层上的第二部分,所述第一部分设置在所述基底上,不交叠所述栅绝缘层并与所述栅电极间隔开,空间提供在所述第一部分与所述栅电极之间。

8.如权利要求7所述的显示装置,其中所述第一部分直接设置在所述基底上。

9.如权利要求7所述的显示装置,其中所述第二部分包括第一子部分和第二子部分,所述第一子部分交叠所述非交叠部分并且不交叠所述栅电极和所述半导体图案,所述第二子部分连接到所述第一子部分,交叠所述交叠部分和所述栅电极并且不交叠所述半导体图案。

10.如权利要求9所述的显示装置,其中所述第二部分还包括第三子部分,所述第三子部分连接到所述第二子部分并交叠所述栅电极、所述交叠部分和所述半导体图案。

11.如权利要求7所述的显示装置,还包括:

第一钝化层,设置在所述源电极、所述漏电极和所述半导体图案上;

第一电极,设置在所述第一钝化层上;

第二钝化层,设置在所述第一电极上;以及

第二电极,设置在所述第二钝化层上。

12.如权利要求11所述的显示装置,其中所述第二电极的厚度大于所述第一电极的厚度。

13.如权利要求11所述的显示装置,其中:

所述第一钝化层包括暴露所述漏电极的部分的接触孔;

所述第一电极包括交叠所述接触孔的电极开口;

所述第二钝化层包括交叠所述电极开口的钝化开口;

所述第二电极通过所述接触孔、所述电极开口和所述钝化开口连接到所述漏电极;以及

所述钝化开口的尺寸小于所述电极开口的尺寸。

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