[发明专利]检测器和具有该检测器的发射成像设备有效
申请号: | 201710414297.X | 申请日: | 2017-06-05 |
公开(公告)号: | CN107121692B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 谢思维;杨明明;翁凤花;赵指向;黄秋;许剑锋;彭旗宇 | 申请(专利权)人: | 中派科技(深圳)有限责任公司 |
主分类号: | G01T1/202 | 分类号: | G01T1/202 |
代理公司: | 北京睿邦知识产权代理事务所(普通合伙) 11481 | 代理人: | 徐丁峰;付伟佳 |
地址: | 518063 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 检测器 具有 发射 成像 设备 | ||
1.一种用于发射成像设备的检测器,其特征在于,包括:
闪烁晶体阵列,其具有相对的第一端面和第二端面,所述闪烁晶体阵列包括多个闪烁晶体;
第一光传感器阵列,其耦合至所述闪烁晶体阵列的所述第一端面,所述第一光传感器阵列包括多个光传感器,所述第一光传感器阵列的所述多个光传感器中的至少一个分别耦合有多个所述闪烁晶体;
第二光传感器阵列,其耦合至所述闪烁晶体阵列的所述第二端面,所述第二光传感器阵列包括多个光传感器,所述第二光传感器阵列的所述多个光传感器中的至少一个分别耦合有多个所述闪烁晶体;
其中,所述第一光传感器阵列与所述第二光传感器阵列错位排列;
所述多个闪烁晶体的未与所述光传感器耦合的面均设置有光反射层,且所述面中与相邻的光传感器耦合的闪烁晶体相邻的面的光反射层中设置有透光窗口;
所述第一光传感器阵列/所述第二光传感器阵列中位于中心区域的m1×m2个光传感器均耦合有n1×n2个闪烁晶体,其中m1、m2为正整数,n1和n2为大于等于2小于等于6的正整数,且n2大于等于n1;
所述第一光传感器阵列相对所述第二光传感器阵列具有第一错位方向和第二错位方向,所述第一光传感器阵列在所述第一错位方向和所述第二错位方向上相对所述第二光传感器阵列分别错位M个闪烁晶体距离和N个闪烁晶体距离,其中M为小于等于n1/2的正整数,N为小于等于n2/2的正整数。
2.如权利要求1所述的检测器,其特征在于,所述闪烁晶体阵列的尺寸小于或等于所述第二光传感器阵列的尺寸。
3.如权利要求2所述的检测器,其特征在于,所述第一光传感器阵列的尺寸小于所述闪烁晶体阵列的尺寸,所述闪烁晶体阵列的尺寸等于所述第二光传感器阵列的尺寸,所述闪烁晶体的尺寸为x×y,所述闪烁晶体阵列大小为A×B,所述第一光传感器阵列的所述光传感器与所述第二光传感器阵列的所述光传感器的尺寸皆为n2x×n1y,所述第二光传感器阵列大小为C×D,所述第一光传感器阵列大小为(C-1)×(D-1),其中,C为A/n1的整数,D为B/n2的整数。
4.如权利要求2所述的检测器,其特征在于,所述第一光传感器阵列的尺寸等于所述闪烁晶体阵列的尺寸,所述闪烁晶体阵列的尺寸小于所述第二光传感器阵列的尺寸,所述闪烁晶体的尺寸为x×y,所述闪烁晶体阵列大小为A×B,所述第一光传感器阵列的所述光传感器与所述第二光传感器阵列的所述光传感器的尺寸皆为n2x×n1y,所述第二光传感器阵列大小为(C+1)×(D+1),所述第一光传感器阵列大小为C×D,其中,C为A/n1的整数,D为B/n2的整数。
5.如权利要求2所述的检测器,其特征在于,所述第一光传感器阵列的尺寸等于所述闪烁晶体阵列的尺寸,所述闪烁晶体阵列的尺寸等于所述第二光传感器阵列的尺寸,所述闪烁晶体的尺寸为x×y,所述闪烁晶体阵列大小为A×B,所述第二光传感器阵列的所述光传感器的尺寸为n2x×n1y,所述第二光传感器阵列大小为C×D,其中,C为A/n1的整数,D为B/n2的整数,所述第一光传感器阵列中的所述光传感器包括位于中心区域的第一光传感器和位于外围区域的第二光传感器,所述第一光传感器的尺寸为n2x×n1y且构成(C-1)×(D-1)阵列,所述第二光传感器的尺寸为n4x×n3y,其中,n4为小于等于n2/2的正整数,n3为小于等于n1/2的正整数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中派科技(深圳)有限责任公司,未经中派科技(深圳)有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710414297.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。