[发明专利]石墨烯电极及其图案化制备方法，阵列基板在审
| 申请号： | 201710416630.0 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN107104078A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 王海军 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,张杰 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 电极 及其 图案 制备 方法 阵列 | ||
1.一种石墨烯电极的图案化制备方法，包括：
在基板上依次形成氧化石墨烯层和光刻胶层；
利用掩膜工具对所述光刻胶层进行曝光；
对曝光后的光刻胶层进行显影；
对裸露的氧化石墨烯层进行还原；
对剩余的曝光后的光刻胶进行剥离，以获得图案化的石墨烯电极。
2.根据权利要求1所述的图案化制备方法，其特征在于，所获得的图案化的石墨烯电极所在层的上表面为与所述基板的上表面平行的平面。
3.根据权利要求1所述的图案化制备方法，其特征在于，利用掩膜工具对所述光刻胶层进行曝光，包括：
使紫外光透过具有透光区域和非透光区域的掩膜板照射所述光刻胶层，以对与所述透光区域相对应的光刻胶层进行曝光。
4.根据权利要求3所述的图案化制备方法，其特征在于，所述光刻胶层采用负性光刻胶；对曝光后的光刻胶层进行显影，包括：
利用显影液将与所述非透光区域相对应的光刻胶层溶解，以裸露出与所述非透光区域相对应的氧化石墨烯层。
5.根据权利要求3所述的图案化制备方法，其特征在于，所述光刻胶层采用正性光刻胶；对曝光后的光刻胶层进行显影，包括：
利用显影液将与所述透光区域相对应的光刻胶层溶解，以裸露出与所述透光区域相对应的氧化石墨烯层。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的图案化制备方法，其特征在于，利用溶液悬浮法、膨胀法或合成法形成所述氧化石墨烯层。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的图案化制备方法，其特征在于，利用狭缝涂布法、旋涂法或刮涂法形成所述光刻胶层。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的图案化制备方法，其特征在于，利用水合肼、维生素C、苯二醇、硼氢化钠或pH为11～13的碱性溶液对所述裸露的氧化石墨烯层进行还原。
9.一种利用如权利要求1至8中任一项所述的石墨烯电极的图案化制备方法制备的石墨烯电极。
10.一种阵列基板，其特征在于：包括：
基板；
形成于所述基板上的第一石墨烯电极层，其具有图案化的第一石墨烯电极；
形成于所述第一石墨烯电极层的第一绝缘层；
形成于所述第一绝缘层上的有源层；
形成于所述有源层上的第二石墨烯电极层，其具有图案化的第二石墨烯电极；
形成于所述第二石墨烯电极层上的第二绝缘层；以及
形成于所述第二绝缘层上的像素电极层；
其中，所述第一石墨烯电极和所述第二石墨烯电极均采用如权利要求1至8中任一项所述的石墨烯电极的图案化制备方法制备而成；并且，
所述第一石墨烯电极层的上表面和所述第二石墨烯电极层的上表面均为与所述基板的上表面平行的平面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
