[发明专利]半导体器件的封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的封装结构，其特征在于，包括含有功能面和与其相对的非功能面的芯片，所述芯片的功能面含有位于中部的功能区和位于四周的若干焊垫，其特征在于：还包括一聚合物材料的盖板，所述盖板正面与所述芯片的功能面之间通过围堰键合在一起，所述围堰覆盖在所述功能区周边的焊垫上，所述盖板背面形成有贯穿盖板及围堰、并与所述芯片的焊垫电连接的导电结构；

或者，所述围堰介于所述功能区和所述焊垫之间，所述焊垫通过金属引线或焊球与外界电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，聚合物材料的所述盖板为干膜材料，所述干膜材料的介电常数高于2、电阻率高于1000Ω·cm、刚性强度>4GPa。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述围堰为干膜材料或光刻胶，所述围堰的高度为5μm-15μm。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述盖板厚度为30～60um。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述芯片为声表面波滤波芯片。

6.一种半导体器件的封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

a.提供一半导体芯片晶圆，将所述晶圆切割成若干单颗芯片，所述芯片具有功能面和与其相对的非功能面，所述芯片的功能面具有位于中部的功能区和位于周边的若干焊垫；

b.提供一晶圆载板，将各芯片重新排布在所述晶圆载板上，形成重组晶圆，其中，各芯片的非功能面通过贴片胶键合在所述晶圆载板上，使各芯片的功能面朝外，相邻芯片之间具有间隙；

c.在键合后的各芯片外表面铺设一层第一干膜或光刻胶，对该第一干膜或光刻胶进行刻蚀或光刻，形成环绕各芯片的功能区且暴露其对应的芯片的焊垫的围堰；

d.在各芯片的围堰上表面黏贴一层第二干膜，对该第二干膜进行刻蚀或光刻，形成盖在各芯片上且暴露芯片的焊垫的盖板；

e.在将芯片暴露的焊垫的电性通过导电结构引出至盖板外表面后，将所述芯片与所述晶圆载板解键合；或者，在所述芯片与所述晶圆载板解键合后，将芯片暴露的焊垫的电性通过金属引线或焊球引出至外部电路。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的封装结构的制作方法，其特征在于，步骤c中形成的各芯片的围堰包括介于芯片的功能区和焊垫内侧之间的焊垫内围堰和自该焊垫内围堰向外延伸至芯片边缘仅露出焊垫的焊垫外围堰；且步骤d中形成的盖板包括键合在所述焊垫内围堰上覆盖功能区的焊垫内盖板和自该焊垫内盖板向外延伸至芯片边缘仅露出焊垫的焊垫外盖板；各芯片的盖板及围堰暴露焊垫的开口内形成有电连接焊垫的导电结构，该导电结构将焊垫的电性引出至盖板的外表面上。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的封装结构的制作方法，其特征在于，步骤c中形成的各芯片的围堰仅包括介于芯片的功能区和焊垫内侧之间的焊垫内围堰；且步骤d中形成的盖板仅包括键合在所述焊垫内围堰上覆盖功能区的焊垫内盖板；各芯片暴露的焊垫通过金属引线或焊球与外界电连接。