[发明专利]储存装置的控制方法有效
申请号: | 201710417561.5 | 申请日: | 2017-06-06 |
公开(公告)号: | CN107230491B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 李文晓;陈杰生 | 申请(专利权)人: | 上海兆芯集成电路有限公司 |
主分类号: | G11C11/412 | 分类号: | G11C11/412;G11C11/417 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 201203 上海市浦东新区上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 储存 装置 控制 方法 | ||
1.一种储存装置的控制方法,其特征在于,包括下列步骤:
提供储存装置,其中该储存装置包括第一反相器、第二反相器、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管,其中该第一反相器的输出端和该第二反相器的输入端皆耦接至第一数据节点,而该第一反相器的输入端和该第二反相器的输出端皆耦接至第二数据节点;
根据第一控制信号来控制该第一晶体管,以选择性地将该第一数据节点耦接至第一输入输出节点;
根据第二控制信号来控制该第二晶体管,以选择性地将该第一数据节点耦接至该第一输入输出节点;
根据该第一控制信号来控制该第三晶体管,以选择性地将该第二数据节点耦接至第二输入输出节点;以及
根据该第二控制信号来控制该第四晶体管,以选择性地将该第二数据节点耦接至该第二输入输出节点,
其中,于读取模式中,相对于该第一控制信号延迟该第二控制信号,使得该第二控制信号相较于该第一控制信号具有较晚的启动时间;
于写入模式中,相对于该第一控制信号不延迟该第二控制信号,使得该第二控制信号与该第一控制信号具有相同的启动时间。
2.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,还包括:
于该读取模式中延迟该第二控制信号,使得该第二控制信号相较于该第一控制信号还具有较短的脉冲宽度。
3.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,还包括:
于该写入模式中不延迟该第二控制信号,使得该第二控制信号与该第一控制信号还具有等长的脉冲宽度。
4.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管以及该第四晶体管用于提升该储存装置的静态噪声容限和写噪声容限。
5.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,该第一晶体管的控制端用于接收该第一控制信号,该第一晶体管的第一端耦接至该第一数据节点,该第一晶体管的第二端耦接至该第一输入输出节点,该第二晶体管的控制端用于接收该第二控制信号,该第二晶体管的第一端耦接至该第一数据节点,该第二晶体管的第二端耦接至该第一输入输出节点,该第三晶体管的控制端用于接收该第一控制信号,该第三晶体管的第一端耦接至该第二输入输出节点,而该第三晶体管的第二端耦接至该第二数据节点,该第四晶体管的控制端用于接收该第二控制信号,该第四晶体管的第一端耦接至该第二输入输出节点,而该第四晶体管的第二端耦接至该第二数据节点。
6.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,该第一控制信号由第一字线所提供,而该第二控制信号由第二字线所提供。
7.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管以及该第四晶体管皆为N型金属氧化物半导体场效应晶体管。
8.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,该第一控制信号和该第二控制信号皆由控制电路所产生。
9.根据权利要求8所述的控制方法,其特征在于,该控制电路包括:
解码器,根据地址信号来产生解码信号;
第三反相器,具有输入端和输出端,其中该第三反相器的该输入端用于接收该解码信号;以及
第四反相器,具有输入端和输出端,其中该第四反相器的该输入端耦接至该第三反相器的该输出端,而该第四反相器的该输出端用于输出该第一控制信号。
10.根据权利要求9所述的控制方法,其特征在于,该控制电路还包括:
延迟器,延迟该解码信号,以产生延迟信号;
多工器,根据调整信号来选择该解码信号或该延迟信号两者之一作为选择信号;
与非门,具有第一输入端、第二输入端以及输出端,其中该与非门的该第一输入端用于接收该解码信号,而该与非门的该第二输入端用于接收该选择信号;以及
第五反相器,具有输入端和输出端,其中该第五反相器的该输入端耦接至该与非门的该输出端,而该第五反相器的该输出端用于输出该第二控制信号。
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