[发明专利]一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺在审
申请号: | 201710417949.5 | 申请日: | 2017-06-06 |
公开(公告)号: | CN107268071A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 李顺利 | 申请(专利权)人: | 界首市七曜新能源有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 安徽信拓律师事务所34117 | 代理人: | 张加宽 |
地址: | 236500 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 电池板 单晶硅 制备 工艺 | ||
1.一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:
(1)加料:将单晶硅原料经低温加热处理后,用去离子水清洗,然后烘干并与杂质混合放入石英坩埚内;
(2)熔化:加完单晶硅原料于石英埚内后,关闭长晶炉并抽成真空后充入高纯氩气进行保压,然后打开石墨加热器电源,加热至800~900℃,将长晶炉抽成真空,再次将氩气充入长晶炉,加热至熔化温度以上,将单晶硅原料熔化,得单晶硅熔体;
(3)缩颈生长:当单晶硅熔体的温度稳定之后,将籽晶慢慢浸入单晶硅熔体中,缩颈生长时将籽晶快速向上提升,使长出的籽晶的直径缩小;
(4)放肩生长:缩颈生长完成后,降低温度与拉速,使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小;
(5)等径生长:放肩生长结束,借着拉速与温度的不断调整,使晶棒直径维持在一固定值生长;
(6)尾部生长:等径生长结束,将晶棒的直径慢慢缩小,直到成一尖点而与单晶硅熔体液面分开,长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出。
2.如权利要求1所述的一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,其特征在于,所述步骤(1)中低温加热处理时控制温度在400~500℃。
3.如权利要求1所述的一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,其特征在于,所述步骤(1)中杂质的种类依电阻的N或P型而定。
4.如权利要求1所述的一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,其特征在于,所述步骤(1)中杂质为硼、磷、锑或砷。
5.如权利要求1所述的一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,其特征在于,所述步骤(2)中融化温度至少在1450℃以上。
6.如权利要求1所述的一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,其特征在于,所述步骤(3)中籽晶的直径缩小至3~5mm。
7.如权利要求1所述的一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,其特征在于,所述步骤(5)中等径生长时晶棒直径在固定值正负2mm之间波动。
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