[发明专利]存储系统

说明书

一种存储系统包括：存储装置，其包括写入驱动器；以及存储器控制器，其被配置为控制存储装置。存储器控制器包括命令比较电路，其被配置为将第一写入命令和第二写入命令的字线地址、位线地址和写入数据段相比较，以及当第一写入命令与第二写入命令的位线地址和写入数据段彼此相同而第一写入命令与第二写入命令的字线地址的最高有效位MSB彼此不同时，输出具有第一电平的同时写入控制信号；以及处理器，其被配置为当从命令比较电路输出具有第一电平的同时写入控制信号时，将用于同时操作第一写入命令和第二写入命令的同时写入命令传送到存储装置。写入驱动器基于同时写入控制信号来增加写入电流，以及输出增加的写入电流。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年6月7日提交的申请号为10-2016-0070334的韩国申请的优先权，该韩国专利申请如所充分阐述通过引用全部合并于此。

技术领域

各种实施例总体而言可以涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种存储系统并且控制写入电流。

背景技术

关于对存储装置的大容量和低功率消耗的要求，已经进行了对具有非易失性并且不具有刷新的下一代存储装置的研究。下一代存储装置需要具有动态随机存取存储器(DRAM)的高集成度、快闪存储器的非易失性、静态RAM(SRAM)的高速度等。存在符合非易失性并且不具有刷新的要求的下一代存储装置。满足要求的这些下一代存储装置包括相变RAM(PRAM)、纳米浮栅存储器(FTGM)、聚合物RAM(PoRAM)、磁性RAM(MRAM)、铁电式RAM(FeRAM)以及电阻式RAM(ReRAM)。

发明内容

根据实施例，可以提供一种存储系统。存储系统可以包括：存储装置，其包括写入驱动器，所述写入驱动器被配置为输出用于在多个存储单元中写入数据的写入电流；以及存储器控制器，其被配置为控制存储装置。存储器控制器可以包括：命令比较电路，其被配置为将由存储器控制器接收的第一写入命令的字线地址、位线地址和写入数据段与第二写入命令的字线地址、位线地址和写入数据段相比较，以及当第一写入命令的位线地址和写入数据段与第二写入命令的位线地址和写入数据段彼此相同而第一写入命令的字线地址的最高有效位MSB与第二写入命令的字线地址的最高有效位MSB彼此不同，输出具有第一电平的同时写入控制信号；以及处理器，其被配置为当从命令比较电路输出具有第一电平的同时写入控制信号时，将用于同时操作第一写入命令和第二写入命令的同时写入命令传送到存储装置。写入驱动器可以通过接收具有第一电平的同时写入控制信号来增加写入电流，以及输出增加的写入电流。

根据实施例，可以提供一种存储系统。存储系统可以包括：存储单元区域，其包括多个位线、多个字线和耦接到多个位线的中心部分的列解码器；写入驱动器，其被配置为将写入电流输出到存储单元区域的列解码器；控制逻辑，其被配置为控制写入驱动器以将数据写入存储单元区域；命令比较电路，其被配置为将从主机装置接收的第一写入命令的字线地址、位线地址和写入数据段与第二写入命令的字线地址、位线地址和写入数据段相比较，以及当第一写入命令的位线地址和写入数据段与第二写入命令的位线地址和写入数据段彼此相同而第一写入命令的字线地址的最高有效位MSB与第二写入命令的字线地址的最高有效位MSB彼此不同时，输出具有第一电平的同时写入控制信号；以及处理器，其被配置为当从命令比较电路输出具有第一电平的同时写入控制信号时，将用于同时操作第一写入命令和第二写入命令的同时写入命令传送到控制逻辑。写入驱动器可以基于从命令比较电路输出的具有第一电平的同时写入控制信号来增加写入电流，以及将增加的写入电流输出到列解码器。

根据实施例，可以提供一种单元区域单元。单元区域单元可以包括：存储单元区域，其包括列解码器，列解码器位于布置在列解码器的上侧的第一字线组与布置在列解码器的下侧的第二字线组之间，以及位线，其耦接到列解码器的中心部分以及耦接到包括在第一字线组和第二字线组中的字线；以及写入驱动器，其被配置为将写入电流输出到存储单元区域的列解码器。当来自第一字线组的第一字线和第一位线的交叉区域和来自第二字线组的第二字线和第一位线的交叉区域距列解码器的距离基本相同时，写入驱动器增加至列解码器的写入电流。