[发明专利]一种电平转换与非电路

说明书

本发明公开了一种电平转换与非电路，包括:电平传输电路,用于在第一输入信号IN1的控制下将第二输入信号IN2传递至后续电路；高压输出电路,用于在该第一输入信号IN1和第二输入信号IN2的控制下输出高电平；低压输出电路，用于在该第一输入信号IN1和第二输入信号IN2的控制下输出低电平；低压加速电路，用于在该低压输出电路输出低压时加速低电平的建立，通过本发明，实现了一种可节省电路面积，降低生产成本的电平转换与非电路。

技术领域

本发明涉及一种电路，特别是涉及一种电平转换与非电路。

背景技术

图1为一种现有的典型的实现与非操作并完成电平转换的电路的电路示意图。如图1所示，该电路由一个两输入(I1和I2)与非门103和一个电平转换电路104级连组成。然而，该电路的缺点在于，其所需要的管子数有10个，在存储器电路中进行大量重复应用时N个这种单元组成的译码阵列所需要的管子数是10×N个，没有面积优势。

图2为现有技术一种改进型的电平转换与非电路的电路示意图。如图2所示；该电路单元只有5个管子，比现有技术一节省了很多面积；然而，该电路的缺点在于，输入高电平信号在通过N管204后，信号衰减一个N管204的阈值电压，使得N管206导通能力不足引起输出点电压下降、速度变慢。

图3为现有技术另一种改进型的电平转换与非电路的电路示意图。如图3，在上述图2的电路基础上，在输出端增加串联的2个NMOS，这2个NMOS管的栅极分别连接不同的输入信号，以解决现有技术速度慢的问题以实现快速拉低的能力。但如此修改增加了晶体管数量至7个，缩小面积的优势降低。且其中5个为N管、2个为P管，在实际版图设计中，由于N、P管的个数不对称，容易浪费面积；值得指出的是该技术在输入端增加的I1#信号为I1取反得到，即意味着需要在I1信号之后通过增加反向器实现，故该技术真正的晶体管数量为9个，与典型图1的现有技术相比，缩减电路和版图面积意义不大。

发明内容

为克服上述现有技术存在的不足，本发明之目的在于提供一种电平转换与非电路，以实现一种可节省电路面积，降低生产成本的电平转换与非电路。

为达上述及其它目的，本发明提出一种电平转换与非电路，包括:

电平传输电路,用于在第一输入信号IN1的控制下将第二输入信号IN2传递至后续电路；

高压输出电路,用于在该第一输入信号IN1和第二输入信号IN2的控制下输出高电平；

低压输出电路，用于在该第一输入信号IN1和第二输入信号IN2的控制下输出低电平；

低压加速电路，用于在该低压输出电路输出低压时加速低电平的建立。

进一步地，所述电平传输电路包括第一N型场效应管。

进一步地，所述第一输入信号IN1连接至所述第一N型场效应管的栅极，所述第二输入信号IN2连接至所述第一N型场效应管的漏极，所述第一N型场效应管的源极连接至所述高压输出电路、低压输出电路以及低压加速电路，衬底接地。

进一步地，所述低压输出电路包括第二N型场效应管。

进一步地，所述第二N型场效应管栅极连接所述第一N型场效应管源极，其漏极与所述高压输出电路以及低压加速电路相连组成输出节点OUT，衬底接地。

进一步地，所述高压输出电路包括第二P型场效应管与第三P型场效应管。

进一步地，所述第三P型场效应管的栅极连接第一输入信号IN1，第二P型场效应管的栅极连接至所述第一N型场效应管的源极，所述第二N型场效应管的漏极与所述第二P型场效应管和第三P型场效应管的漏极以及所述低压加速电路相连组成输出节点OUT，所述第二P型场效应管、第三P型场效应管的源极与衬底连接至高电源电压。

进一步地，所述低压加速电路包括第一P型场效应管。