[发明专利]一种交叉十字键合法测量晶片键合强度的方法及夹持装置有效

专利信息
申请号: 201710420121.5 申请日: 2017-06-06
公开(公告)号: CN107219123B 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 王晨曦;许继开;戚晓芸;籍晓亮;刘艳南;田艳红;王春青 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G01N3/08 分类号: G01N3/08
代理公司: 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 代理人: 高媛
地址: 150000 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 交叉 十字 合法 测量 晶片 强度 方法 夹持 装置
【权利要求书】:

1.一种交叉十字键合法测量晶片键合强度的夹持装置,其特征在于:所述的夹持装置包括两个夹具,每个夹具均由拉伸夹持棒(1)和晶片存储槽(2)两部分构成;所述的拉伸夹持棒(1)竖直设置,且拉伸夹持棒(1)的一端与所述的晶片存储槽(2)外侧底面中部固定连接,晶片存储槽(2)的每个槽侧壁的顶端均设有一个直角横梁,每个所述的直角横梁的水平梁(3)与晶片存储槽(2)的每个槽侧壁的顶端连接为一体,每个直角横梁的竖直梁(4)设置在晶片存储槽(2)的槽口内;

所述的两个夹具分别是上夹具(5)和下夹具(6),所述的下夹具(6)的晶片存储槽(2)的长度和宽度均与长方形晶片(7)的长度和宽度相同,且所述的直角横梁的竖直梁(4)至晶片存储槽(2)的内侧底面的距离与所述的长方形晶片(7)的厚度相等;所述的上夹具(5)的晶片存储槽(2)的宽度与长方形晶片(7)的宽度相同,上夹具(5)的晶片存储槽(2)的长度比长方形晶片(7)的长度多4~10mm,且直角横梁的竖直梁(4)至晶片存储槽(2)的内侧底面的距离比长方形晶片(7)的厚度多2~5mm。

2.一种利用权利要求1所述的夹持装置实现交叉十字键合法测量晶片键合强度的方法,其特征在于:所述的方法包括以下步骤:

步骤一、取两片待键合且尺寸相同的长方形晶片(7),经过预设的键合工艺处理后,使得每一长方形晶片(7)的长边平行于另一长方形晶片(7)的短边,并且在键合区域(8)处于每一长方形晶片(7)的中间位置时进行键合,获得强度待测量的试件;

步骤二、在相同拉伸力的情况下,拉力的作用位置不同,会使未键合区域(9)的长方形晶片(7)产生不同程度的弯曲,进而会使长方形晶片(7)的上下表面产生不同程度的应变εx,随后产生不同大小的拉应力σx=Ex·εx,其中Ex为X方向的抗拉强度;根据断裂理论,当拉应力≥抗拉强度,即σx=σb时,长方形晶片(7)发生断裂,从而求得断裂时的应变εx,其中σb表示抗拉强度;依据拉力作用位置与长方形晶片(7)发生应变大小的关系,求得在拉力F=σb·b2时,恰在长方形晶片(7)键合区域边缘(10)处断裂的条件下,求得拉力的作用位置,即距键合界面边缘的距离a,其中b为长方形晶片(7)短边的长度;

步骤三、将键合后的长方形晶片(7),固定在夹持装置的上夹具(5)和下夹具(6)的相应位置,随后通过拉伸机进行拉伸,待键合区域(8)开裂或未键合区域(9)的长方形晶片(7)断裂后,终止拉伸,记录拉力F的大小;

步骤四、根据长方形晶片(7)的断裂情况及施加拉力F的大小,计算长方形晶片(7)的键合强度;若施加的拉力F≥σb·b2,且断裂位置为长方形晶片(7)未键合区域(9)或键合区域边缘(10),则键合强度σ>σb;若施加的拉力F<σb·b2,且断裂位置为键合界面处,则键合强度σ=F/b2

3.根据权利要求2所述的交叉十字键合法测量晶片键合强度的方法,其特征在于:步骤三中,将键合后的长方形晶片(7)的上长方形晶片(7-1)设置在上夹具(5)的直角横梁的竖直梁(4)至晶片存储槽(2)的内侧底面之间,将键合后的长方形晶片(7)的下长方形晶片(7-2)固定在直角横梁的竖直梁(4)至晶片存储槽(2)的内侧底面之间。

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