[发明专利]一种电容器电介质及其制备方法在审
申请号: | 201710420490.4 | 申请日: | 2017-06-07 |
公开(公告)号: | CN107089829A | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 伍文慧 | 申请(专利权)人: | 合肥励仙电力工程有限公司 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/64 |
代理公司: | 合肥道正企智知识产权代理有限公司34130 | 代理人: | 吴琼 |
地址: | 230000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电容器 电介质 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于电容器领域,具体涉及一种电容器电介质及其制备方法。
背景技术
彩电、计算机、通迅、航空航天、导弹、航海等领域迫切需要击穿电压高、温度稳定性好、可靠性高、小型化、大容量的陶瓷电容器。为了实现陶瓷电容器的小型化和大容量,要求陶瓷电容器的电介质具有高介电常数;为了实现陶瓷电容器的击穿电压高,要求陶瓷电容器的电介质耐电压高;同时,随着人们对身体健康及环境保护的日益重视,要求陶瓷电容器的电介质在制备、使用及废弃的过程中不会对人体和环境造成危害,因而要求陶瓷电容器的电介质不含铅、镉等金属元素。
目前,通常用于生产高压陶瓷电容器的电介质中含有一定量的铅,这不仅在陶瓷电容器的生产、使用和废弃过程中对人体和环境造成危害,而且对陶瓷电容器的性能稳定性也有不良影响。例如,中国期刊《江苏陶瓷》1999年第2期在“BaTiO3系低温烧成高介X7R电容器瓷料”一文中公开了一种BaTiO3中低温烧成高介满足X7R特性的电容器瓷料介质,该介质所含的低熔点玻璃料是硼硅酸铅低熔点玻璃,介质是含铅的,并且未涉及耐电压,介电常数小于3500。又如,中国发明专利申请公开说明书CN1212443A(发明名称为“高介高性能中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料”,专利申请号为97117286.2),所公开的陶瓷电容器瓷料虽然介电常数高(介电常数≥16000),但耐电压较差(耐电压为700V/mm),另外其组分含有一定量的铅。还有,中国发明专利申请公开说明书CN1212444A(发明名称为“高性能中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料”,专利申请号为97117287.0),所公开的电容器瓷料介电常数太小(介电常数为3000),介质损耗小于1.5%,且耐电压较低(耐电压为860V/mm),另外其组分含有一定量的铅。
有些陶瓷电容器的电介质虽然不含铅,在陶瓷电容器的生产、使用和废弃过程中对人体和环境的危害较小,但是其介电常数太小,且/或耐电压较低。例如,中国期刊《电子元件与材料》1989年第5期在“高介高压2B4介质陶瓷”一文中公开了一种高压陶瓷电容器电介质材料,这种介质材料的介电常数太小(介电常数ε=2500-2600),tgδ=0.5-1.4%,耐压性较差(直流耐压强度为7KV/mm)。又如,中国发明专利申请公开说明书CN1306288A(发明名称为“一种高压陶瓷电容器电介质”,专利申请号为00112050.6)公开的电容器陶瓷介质虽属无铅介质材料,其直流耐电压可以达到10kV/mm以上,但介电常数太小(介电常数为1860-3300),烧结温度较高(烧结温度为1260-1400℃)。还有,中国发明专利申请公开说明书CN1619726A(发明名称为“一种中低温烧结高压陶瓷电容器电介质”,专利申请号为200410041863.x),其各组分的重量百分比含量为:BaTiO360-90%、SrTiO31-20%、CaZrO30.1-10%、Nb2O50.01-1%、MgO0.01-1%、CeO20.01-0.8%、ZnO0.01-0.6%、Co2O30.03-1%、铋锂固溶体0.05-10%,其介电常数为2000-3000,耐电压为6kV/mm以上,介电常数和耐电压性仍不够理想。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明提供了一种电容器电介质及其制备方法,该种电容器电介质介电常数高,耐电压高,电容温度变化率小,符合Y5U特性的要求,对环境无污染。
为了达到上述目的,本发明通过以下技术方案来实现的:
一种电容器电介质,该直流耐电压可达25kV/mm以上,交流耐压可达20kV/mm以上;介电常数为20000以上;介质损耗小于0.2%;电容温度变化率小,符合Y5U特性的要求,所述电介质包括以下按重量份数计的原料:BaTiO345-55份、SrZrO320-30份、BaZrO315-25份、CaZrO315-25份、MgSnO35-15份、CeO23-7份、MgO 2-4份、Co2O33-5份、BaSiO31-5份、Gd2O31-3份和Nb2O51-3份。
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