[发明专利]一种芯片启动方法和一种FLASH芯片有效

专利信息
申请号: 201710420897.7 申请日: 2017-06-06
公开(公告)号: CN109003634B 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 胡俊;刘铭 申请(专利权)人: 合肥格易集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14;G11C16/30
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 230601 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 启动 方法 flash
【说明书】:

本申请实施例提供了一种芯片启动方法和一种FLASH芯片,该方法包括:当电源电压输入时,通过与电源电压对应的快速基准电路输出初始参考电压,以及通过带隙基准电路输出基准电压;其中,快速基准电路输出初始参考电压所用的时间小于带隙基准电路输出基准电压所用的时间;将初始参考电压输入缓冲器,以启动缓冲器,并通过缓冲器按序启动至少一个电荷泵和存储阵列;当带隙基准电路输出基准电压后,将输入给缓冲器的初始参考电压切换为基准电压。本申请实施例在FLASH芯片中新增快速基准电路,通过该电路输出的初始参考电压启动缓冲器、电荷泵和存储阵列,从而启动FLASH芯片,大大缩短了芯片的启动时间,提高了芯片读写数据的效率。

技术领域

本申请涉及芯片技术领域,特别是涉及一种芯片启动方法和一种FLASH芯片。

背景技术

FLASH因其在断电情况下仍能保持内部数据不丢失的优点,被广泛应用在各种电子设备中。通常,用户为了节约用电,可以在不需要使用FLASH时将其下电,此时FLASH进入深度待机状态,而当用户需要使用FLASH时,则需要启动FLASH的芯片,进而使FLASH恢复至正常工作状态。

下面为了方便描述通常情况下FLASH从深度待机状态恢复至正常工作状态的过程,首先对FLASH芯片的内部构架进行介绍。如图1所示,FLASH芯片主要包括带隙基准电路、缓冲器、电荷泵和存储阵列,这四个部分依次连接。其中,带隙基准电路一般为一个闭环反馈环路,因此,当FLASH芯片启动时,带隙基准电路需要对输入的电源电压进行正反馈、负反馈,最后经历震荡稳定的过程才可以启动并稳定输出一个基准电压,之后基于该基准电压,缓冲器、电荷泵和存储阵列才可以依次启动,也即整个FLASH芯片启动,从而使FLASH恢复至正常工作状态,之后用户才可以进行读、写等操作。

在现有技术中,由于带隙基准电路一般为闭环反馈环路,从启动到稳定输出基准电压需要经历正反馈、负反馈以及震荡稳定的过程,因此,带隙基准电路输出基准电压所需的时间较长,进而使整个FLASH芯片需要较长时间才能启动,进而恢复至正常工作状态。

发明内容

鉴于上述问题,提出了本申请实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种芯片启动方法和一种FLASH芯片。

为了解决上述问题,本申请公开了一种芯片启动方法,所述方法应用于包括至少一个快速基准电路、带隙基准电路、缓冲器、至少一个电荷泵和存储阵列的FLASH芯片,其中,所述至少一个快速基准电路与所述带隙基准电路并联,所述至少一个快速基准电路和所述带隙基准电路所组成的并联电路按序与所述缓冲器、所述至少一个电荷泵和所述存储阵列串联,所述方法包括:

当电源电压输入时,通过与所述电源电压对应的所述快速基准电路输出初始参考电压,以及通过所述带隙基准电路输出基准电压;其中,所述快速基准电路输出所述初始参考电压所用的时间小于所述带隙基准电路输出所述基准电压所用的时间;

将所述初始参考电压输入所述缓冲器,以启动所述缓冲器,并通过所述缓冲器按序启动所述至少一个电荷泵和存储阵列;

当所述带隙基准电路输出所述基准电压后,将输入给所述缓冲器的初始参考电压切换为所述基准电压。

可选地,所述将所述初始参考电压输入所述缓冲器,以启动所述缓冲器,并通过所述缓冲器按序启动所述至少一个电荷泵和存储阵列之前,还包括:

由所述初始参考电压触发的使能信号闭合第一开关;所述第一开关两端分别连接所述快速基准电路和所述缓冲器。

可选地,所述当所述带隙基准电路输出所述基准电压后,将输入给所述缓冲器的初始参考电压切换为所述基准电压,包括:

当所述带隙基准电路输出所述基准电压后,由所述基准电压触发的使能信号闭合第二开关,并根据所述第二开关与所述第一开关的联动机制断开所述第一开关;所述第二开关两端分别连接所述带隙基准电路和所述缓冲器。

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