[发明专利]一种锂离子印迹膜的合成方法及其用途在审
申请号: | 201710420925.5 | 申请日: | 2017-06-07 |
公开(公告)号: | CN107174962A | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 孙冬舒;孟敏佳;闫永胜;李春香 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | B01D67/00 | 分类号: | B01D67/00;B01D69/12;B01D71/82;B01J20/26;B01J20/28;C02F1/28;C02F1/44;C08J9/26;C08J7/06;C08J7/16 |
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地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 锂离子 印迹 合成 方法 及其 用途 | ||
1.一种锂离子印迹膜的合成方法,其特征在于,步骤如下:
步骤1、将聚偏氟乙烯粉末与聚乙烯吡咯烷酮加入到N,N′-二甲基乙酰胺中,恒温下机械搅拌,机械搅拌完成后,保持温度不变静置,通过相转化技术形成PVDF基膜,把此PVDF基膜放在去离子水中保存;
步骤2、将步骤1得到的PVDF基膜浸入到Tris-HCl溶液中,再加入多巴胺,室温下机械振荡,得到表面具有聚多巴胺层的PVDF基膜;
将12-冠醚-4与氯化锂加入到甲醇中,将所述表面具有聚多巴胺层的PVDF基膜浸入到所述混合溶液中,再加入二甲基丙烯酸乙二醇酯和偶氮二异丁腈,形成混合液,通惰性气体后密封,置于恒温水浴振荡器中反应;
步骤3、将步骤2反应后得到的膜用酸洗脱,得到锂离子印迹膜。
2.根据权利要求1所述的一种锂离子印迹膜的合成方法,其特征在于,步骤1中,所述聚偏氟乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、N,N′-二甲基乙酰胺的用量比为4g:(0.01~0.04)g:25~40mL;所述恒温为30℃,所述机械搅拌的时间为12h;所述静置时间为24h。
3.根据权利要求1所述的一种锂离子印迹膜的合成方法,其特征在于,步骤2中,所述多巴胺与所述Tris-HCl溶液中的浓度为2~4mg/mL,所述Tris-HCl溶液的浓度为10~30mM,PH=8.5;所述混合液中,所使用的12-冠醚-4、氯化锂、二甲基丙烯酸乙二醇酯、偶氮二异丁腈、甲醇的用量比为0.6~1.2g:0.3g:0.4~0.8mmol:8~10mg:50mL;所述惰性气体为氮气;所述恒温水浴振荡器的温度为60℃,所述反应的时间为18h。
4.根据权利要求1所述的一种锂离子印迹膜的合成方法,其特征在于,步骤3中,所述的酸为HCl,浓度为0.2-0.5mol L-1。
5.权利要求1~4任意一项所述的方法制备的锂离子印迹膜用于吸附锂离子的用途。
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