[发明专利]一种锂离子印迹杂化膜的制备方法及其用途

权利要求书

1.一种锂离子印迹杂化膜的制备方法，其特征在于，步骤如下：

步骤1、将氧化石墨烯与聚偏氟乙烯粉末溶解于N-甲基吡咯烷酮中，机械搅拌混匀、静置，制得聚偏氟乙烯/氧化石墨烯杂化膜，记为PVDF/GO杂化膜，并将膜保存于去离子水或蒸馏水中；

步骤2、配制Tris-HCl溶液，加入多巴胺并混合均匀，得到混合溶液，取PVDF/GO杂化膜浸没在混合溶液中，室温条件下振荡，反应完后，将产物取出，洗涤，烘干，得到聚偏氟乙烯/氧化石墨烯@聚多巴胺杂化膜，记为PVDF/GO@pDA杂化膜；

步骤3、将12-冠4、LiCl均匀分散到乙醇中，加入乙烯基三乙氧基硅烷，磁力搅拌均匀后，加入四硅酸乙酯、氨水及去离子水，得到混合液，将步骤2中的PVDF/GO@pDA杂化膜浸入到混合液中，磁力搅拌沉淀聚合后，将膜取出，洗涤，烘干，将制得的膜酸洗，得到锂离子印迹杂化膜；步骤3中，制备混合液时，所使用的12-冠-4-醚、LiCl、乙醇、乙烯基三乙氧基硅烷、四硅酸乙酯、氨水、去离子水的用量比为0.05g：0.05g：30mL：0.2mL：0.5mL：0.3~0.5mL：3~5mL，所述磁力搅拌沉淀聚合的温度为30℃，时间为16h。

2.根据权利要求1所述的一种锂离子印迹杂化膜的制备方法，其特征在于，步骤1中、所述氧化石墨烯、聚偏氟乙烯、N-甲基吡咯烷酮的用量比为0.1~0.3g：1~3g：30mL；所述机械搅拌的温度为50℃，机械搅拌的时间为12h；所述静置的温度为50℃，静置的时间为12h。

3.根据权利要求1所述的一种锂离子印迹杂化膜的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述Tris-HCl溶液的浓度为10mM，所述多巴胺在混合溶液中的浓度为1~2mg/mL；所述混合溶液pH为8.5；所述振荡反应的时间为12h。

4.根据权利要求1所述的一种锂离子印迹杂化膜的制备方法，其特征在于，步骤3中，所述酸洗为用1mol/L HCl溶液酸洗。

5.权利要求1~4任意一项所述的方法制备的锂离子印迹杂化膜用于吸附锂离子的用途。