[发明专利]一种绝对值电路有效

专利信息
申请号: 201710422442.9 申请日: 2017-06-07
公开(公告)号: CN109002739B 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 严波;王悦;王铁军;李维森 申请(专利权)人: 北京普源精电科技有限公司
主分类号: G06G7/25 分类号: G06G7/25
代理公司: 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11624 代理人: 任漱晨
地址: 102206 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 绝对值 电路
【权利要求书】:

1.一种绝对值电路,其特征在于,所述绝对值电路包括:

运算放大器U2B,具有第一输入端口(1),第二输入端口(2),第一输出端口(3)和第二输出端口(4),其中,所述第一输出端口(3)的电平高于所述第二输出端口(4)的电平,所述第一输出端口(3)和所述第二输出端口(4)的电压差为固定值;

电压信号输入端口(VIN2),连接到运算放大器U2B的第一输入端口(1),第二输入端口(2)连接到接地端(GND);或电流信号输入端口VIN,连接到运算放大器U2B的第二输入端口(2),第一输入端口(1)连接到接地端(GND);

N型MOS管NM2,N型MOS管NM2的栅极连接到运算放大器U2B的第一输出端口(3);

P型MOS管PM6,P型MOS管PM6的栅极连接到运算放大器U2B的第二输出端口(4);N型MOS管NM2的源极和P型MOS管PM6的源极连接到一起后连接到运算放大器U2B的第二输入端口(2);

电流控制电流源(CMA1),所述电流控制电流源(CMA1)的第一输入端连接到N型MOS管NM2的漏极,所述电流控制电流源(CMA1)的第一输出端跟P型MOS管PM6的漏极并联后连接到电流输出端子(IOUT2);

正电源(VDD),连接到所述电流控制电流源(CMA1)的第二输入端,并连接到所述电流控制电流源(CMA1)的第二输出端。

2.如权利要求1所述绝对值电路,其特征在于,所述固定值为MOS管的栅极和源极电压差。

3.如权利要求1所述绝对值电路,其特征在于,所述电流控制电流源(CMA1)包括:P型MOS管PM8、P型MOS管PM9、P型MOS管PM10、P型MOS管PM11和提供偏置电压的电压源(VB1),其中,所述P型MOS管PM8的漏极和所述P型MOS管PM9的源极相连;所述P型MOS管PM10的漏极和所述P型MOS管PM11的源极相连;所述P型MOS管PM8的源极和所述P型MOS管PM10的源极相连并连接到所述正电源(VDD);所述P型MOS管PM8的栅极和所述P型MOS管PM10的栅极相连并连接到所述P型MOS管PM11的漏极,将所述P型MOS管PM11的漏极连接所述N型MOS管NM2的漏极,作为电流输入端;将所述P型MOS管PM9的漏极跟所述P型MOS管PM6的漏极并联后连接到电流输出端子(IOUT2);将P型MOS管PM9的栅极和所述P型MOS管PM11的栅极相连并通过提供偏置电压的电压源(VB1)连接到接地端(GND)。

4.如权利要求1所述绝对值电路,其特征在于,所述电流控制电流源(CMA1)包括:P型MOS管PM2、P型MOS管PM3、P型MOS管PM4、P型MOS管PM5,其中,所述P型MOS管PM2的漏极和所述P型MOS管PM3的源极相连;所述P型MOS管PM4的漏极和所述P型MOS管PM5的源极相连,并分别连接到所述P型MOS管PM2的栅极和所述P型MOS管PM4的栅极;所述P型MOS管PM2的源极和所述P型MOS管PM4的源极相连并连接到所述正电源(VDD);所述P型MOS管PM3的栅极和所述P型MOS管PM5的栅极相连并连接到所述P型MOS管PM5的漏极,将所述P型MOS管PM5的漏极连接所述N型MOS管NM2的漏极,作为电流输入端;将所述P型MOS管PM3的漏极跟所述P型MOS管PM6的漏极并联后连接到电流输出端子(IOUT2)。

5.如权利要求1所述绝对值电路,其特征在于,所述电流控制电流源(CMA1)包括:P型MOS管PM12、P型MOS管PM14,其中,所述P型MOS管PM12的源极和所述P型MOS管PM14的源极相连并连接到所述正电源(VDD);所述P型MOS管PM12的栅极和所述P型MOS管PM14的栅极相连并连接到所述P型MOS管PM14的漏极,将所述P型MOS管PM14的漏极连接所述N型MOS管NM2的漏极,作为电流输入端;将所述P型MOS管PM12的漏极跟所述P型MOS管PM6的漏极并联后连接到电流输出端子(IOUT2)。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京普源精电科技有限公司,未经北京普源精电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710422442.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top