[发明专利]一种梯形沟槽隔离的低容TVS器件结构

权利要求书

1.一种梯形沟槽隔离的低容瞬态电压抑制器结构，其特征在于，包括：

一个具有第一导电类型的重掺杂硅衬底；

一个形成在衬底上的第一导电类型或者第二导电类型的第一外延层；

一个形成在第一外延层上的第二导电类型的第二外延层；

一个形成在第二外延层上的第二导电类型掺杂区；

一个形成在第二导电类型扩散区上的第一导电类型掺杂区；

两组穿过第二外延层和第一外延层达到衬底的隔离沟槽，两组隔离沟槽对称设置，每组隔离沟槽中有两条隔离沟槽，隔离沟槽与衬底水平面法线方向的夹角大于0°且小于90°，所述的隔离沟槽中填充有氧化层。

第二导电类型掺杂区和第一导电类型掺杂区形成瞬时电压抑制器Z1，的第二外延层至衬底形成开关管D1。

2.根据权利要求1所述的梯形沟槽隔离的低容瞬态电压抑制器结构，其特征在于，还包括：

一个形成在第二外延层上且覆盖住所述隔离沟槽开口区的介质层，所述介质层中间开有窗口；

一个形成在第二外延层上且覆盖住所述窗口的金属连接层；

一个形成在所述介质层和金属连接层上且在金属连接层上开有窗口的钝化层。

3.根据权利要求1或2所述的梯形沟槽隔离的低容瞬态电压抑制器结构，其特征在于，第一导电类型为N型或者P型，第二导电类型为P型或者N型。

4.根据权利要求1或2所述的梯形沟槽隔离的低容瞬态电压抑制器结构，其特征在于，所述重掺杂硅衬底的掺杂浓度为大于等于1E18/cm³。

5.根据权利要求1或2所述的梯形沟槽隔离的低容瞬态电压抑制器结构，其特征在于，所述第一外延层掺杂浓度为1E15/cm³至1E16/cm³，其厚度为4um至20um。

6.根据权利要求1或2所述的梯形沟槽隔离的低容瞬态电压抑制器结构，其特征在于，所述第二外延层掺杂浓度为1E15/cm³至1E16/cm³，其厚度为10um至60um。

7.根据权利要求1或2所述的梯形沟槽隔离的低容瞬态电压抑制器结构，其特征在于，所述第二导电类型掺杂区掺杂浓度为1E18/cm³至1E19/cm³。

8.根据权利要求1或2所述的梯形沟槽隔离的低容瞬态电压抑制器结构，其特征在于，所述第一导电类型掺杂区掺杂浓度为1E18/cm³至1E19/cm³。

9.根据权利要求1或2所述的梯形沟槽隔离的低容瞬态电压抑制器结构，其特征在于，所述梯形深槽中填充的氧化层为二氧化硅，其高宽比为10:1至60:1。

10.根据权利要求1或2所述的梯形沟槽隔离的低容瞬态电压抑制器结构，其特征在于，所述隔离沟槽的开口为1um到5um，每组隔离沟槽中两条沟槽的间距为2um至5um，深度为10um至60um。