[发明专利]一种中子和γ射线综合屏蔽填料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710423117.4 申请日: 2017-06-07
公开(公告)号: CN107215879A 公开(公告)日: 2017-09-29
发明(设计)人: 何林;李强;雷洪波;蔡永军;刘向东;龙亮;甘杰;杨华;晏朝晖 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院材料研究所
主分类号: C01B35/04 分类号: C01B35/04;C08K3/38;G21F1/10
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 代理人: 沈强
地址: 621700 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 中子 射线 综合 屏蔽 填料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种中子和γ射线综合屏蔽填料,其特征在于,该填料由W和B组成,W和B的原子计量比为2︰1,其物相组成为W2B。

2.根据权利要求1所述中子和γ射线综合屏蔽填料的制备方法,其特征在于,依次包括如下步骤:

(1)配料

按原子计量比,分别称取硼粉、钨粉,混合均匀,得到第一混合物;

(2)反应烧结

将步骤(1)制备的第一混合物进行反应烧结,使W和B充分进行物相反应,获得W2B烧结体;

(3)破碎

将所得W2B烧结体进行破碎,即得产品。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,硼粉的纯度≥99.9%;钨粉的纯度≥99.5%。

4.根据权利要求2或3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,混合方式采用干法混合或湿法混合;

进行湿法混合时,混合介质为丙酮或无水乙醇的一种或多种。

5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,将步骤(1)制备的第一混合物直接真空烧结或保护气氛烧结;

或所述步骤(2)中,将步骤(1)制备的第一混合物进行冷等静压成型后,再进行真空烧结或保护气氛烧结。

6.根据权利要求2或5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,烧结温度为1100~1500℃,保温时间为1h~4h;进行保护气氛烧结时,采用惰性气体作为保护气氛。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述保护气氛为氩气、氦气中一种或多种。

8.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,先将W2B烧结体进行机械破碎至粒径5mm以下,再进行高能球磨破碎,高能球磨采用的磨球为钨合金球或硬质合金球中的一种或多种,粉碎后,即得产品。

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