[发明专利]一种中子和γ射线综合屏蔽填料及其制备方法在审
申请号: | 201710423117.4 | 申请日: | 2017-06-07 |
公开(公告)号: | CN107215879A | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 何林;李强;雷洪波;蔡永军;刘向东;龙亮;甘杰;杨华;晏朝晖 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院材料研究所 |
主分类号: | C01B35/04 | 分类号: | C01B35/04;C08K3/38;G21F1/10 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人: | 沈强 |
地址: | 621700 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 中子 射线 综合 屏蔽 填料 及其 制备 方法 | ||
1.一种中子和γ射线综合屏蔽填料,其特征在于,该填料由W和B组成,W和B的原子计量比为2︰1,其物相组成为W2B。
2.根据权利要求1所述中子和γ射线综合屏蔽填料的制备方法,其特征在于,依次包括如下步骤:
(1)配料
按原子计量比,分别称取硼粉、钨粉,混合均匀,得到第一混合物;
(2)反应烧结
将步骤(1)制备的第一混合物进行反应烧结,使W和B充分进行物相反应,获得W2B烧结体;
(3)破碎
将所得W2B烧结体进行破碎,即得产品。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,硼粉的纯度≥99.9%;钨粉的纯度≥99.5%。
4.根据权利要求2或3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,混合方式采用干法混合或湿法混合;
进行湿法混合时,混合介质为丙酮或无水乙醇的一种或多种。
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,将步骤(1)制备的第一混合物直接真空烧结或保护气氛烧结;
或所述步骤(2)中,将步骤(1)制备的第一混合物进行冷等静压成型后,再进行真空烧结或保护气氛烧结。
6.根据权利要求2或5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,烧结温度为1100~1500℃,保温时间为1h~4h;进行保护气氛烧结时,采用惰性气体作为保护气氛。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述保护气氛为氩气、氦气中一种或多种。
8.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,先将W2B烧结体进行机械破碎至粒径5mm以下,再进行高能球磨破碎,高能球磨采用的磨球为钨合金球或硬质合金球中的一种或多种,粉碎后,即得产品。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院材料研究所,未经中国工程物理研究院材料研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710423117.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高品质工业硅酸钠的生产技术
- 下一篇:—种新型再生能源