[发明专利]一种基于误差放大器的片内外可选方案的环路补偿电路

权利要求书

1.一种基于误差放大器的片内外可选方案的环路补偿电路，其特征在于，包含：可自定义选通路径的逻辑比较电路、片内频率补偿方案电路、片外频率补偿方案电路、片外补偿方案的片内缓冲级电路、误差放大器电路；

所述可自定义选通路径的逻辑比较电路包括偏置电路部分，迟滞比较器电路部分和为比较器产生迟滞的反馈电路和开启条件反相的两个传输门；

所述片内频率补偿方案电路包括集成于片内的一个频率补偿电容和与之串联的电阻，目的是提供一个集成于片内的误差放大器补偿方案；

所述片外频率补偿方案电路包含一个连接片内片外的双向引脚SEL，该引脚在片内的部分连接于可自定义选通路径的逻辑比较电路中比较器的正端，该引脚在片外的部分分别通过两个可控导通状态的开关伸向两端，其中一端为电源电压VDD，另一端为片外补偿方案，其中包含并联的电容C2、C3和与C2串联的电阻R4，目的是提供一个可通过开关选择补偿方案的电路；

所述片外补偿方案的片内缓冲级电路包含2个由运放和源跟随器构成，其目的是在片外补偿方案下滤去高频噪声，为环路提供更高的稳定性；

所述误差放大器电路包含偏置电路部分、运放差分输入部分、运放第二级电流比较部分、受逻辑比较电路控制的输出级电路部分构成，其目的是在不同的补偿方案下提供不同性能的误差放大器。

2.根据权利要求1所述的可自定义选通路径的逻辑比较电路，其特征在于，所述电路部分包含传输门TG1和传输门TG2，一个使能逻辑产生电路3，使能逻辑产生电路3的输入端为SEL引脚的片内端，使能逻辑产生电路3的输出端产生电压信号Ven，分别连接至第一传输门TG1、第二传输门TG2的使能端和误差放大器输出级。

3.根据权利要求2所述的使能逻辑产生电路3，其特征在于，所述部分包含一个偏置电路16、迟滞比较器7和产生迟滞的电路部分8，偏置电路16含有一个电流源Ibias1和NMOS管MN5；电流源Ibias1的正端连接电源电压VDD负端与NMOS管MN5的漏端相连，NMOS管MN5的栅端与漏端短接，源端接地；迟滞比较器7中的输入管为NMOS管MN1和NMOS管MN2，NMOS管MN1的栅端连接引脚SEL片内部分的，源端连接MN4的漏端和MN2的源端，MN2的栅端接基准电压VREF2，MN4的源端接地，栅端与MN5和MN3的栅端短接；MN1的漏端接MP1的漏端，MN2的漏端与MP2的漏端相连；MP2栅端和漏端短接，MP2的源端接电源电压VDD；MP1的栅端与MP2的栅端相连，MP1的源端接电源电压VDD；比较器第二级共源级接法的PMOS管MP5的栅端与MP1和MN1的漏端相连，MP5的源端接电源电压VDD，MP5的漏端接NMOS管MN3的漏端；MN3的栅端与MN4的栅端相连，MN3的源端接地；反相器INV1和反相器INV2级联，INV1的输入端与MN5、MN3的漏端相接，INV1的输出端与INV2的输入端相连；产生迟滞的电路部分8由2个PMOS管构成，MP3的源端接电源VDD，栅端接INV1的输出端，MP3的漏端接MP4的源端；PMOS管MP4的栅漏短接呈二极管连接形式，其栅端和漏端与MP2、MP1的漏端相连；INV2的输出端输出使能电压信号Ven。

4.根据权利要求1所述片内频率补偿方案电路，其特征在于，包含一个集成于片内的电容C1和与之串联的电阻R3；电容C1的负端接地，正端与电阻R3一端相连，电阻R3的另一端与传输门TG2的输出端相连，该端口可输出经片内方案补偿过的输出电压Vea2。

5.根据权利要求1所述片外频率补偿方案电路，其特征在于，包含一个连接片内片外的双向引脚SEL，两个开关SW1和SW2，2个电容C2和C3和一个电阻R4；开关SW1一端连接SEL引脚片外部分，一端连接电源电压VDD；开关SW2一端连接SEL引脚片外部分，另一端连接电阻R4，电阻R4的另一端连接电容C2的正端，电容C2的负端接地；电容C3的正端与开关SW2和R4的连接点相连，C3的负端接地；SEL引脚片内部分与传输门TG1的输出端、片外补偿方案的片内缓冲级电路的输入端相连。