[发明专利]一种液晶显示面板及装置

说明书

本发明提供一种液晶显示面板及装置，该面板包括：每个像素组包括第一像素和第二像素；所述第一像素包括第一薄膜晶体管、第一充电电容以及第二充电电容；所述第一薄膜晶体管的栅极与对应的扫描线连接，所述第一薄膜晶体管的源极与对应的数据线连接；所述第一充电电容的一端与所述第一薄膜晶体管的漏极连接，所述第一充电电容的另一端与所述第二充电电容连接；所述第二像素包括第二薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管的栅极与对应的扫描线连接，所述第二薄膜晶体管的源极与对应的数据线连接；所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第一充电电容的另一端连接。本发明的液晶显示面板及装置，在增大液晶显示面板的视角的同时，提高了开口率。

【技术领域】

本发明涉及显示器技术领域，特别是涉及一种液晶显示面板及装置。

【背景技术】

液晶显示器(Liquid crystal display，LCD)以其轻、薄等优点成为发展最为迅速的平板显示器之一。但是与阴极射线管显示器相比，薄膜晶体管显示器(Thin FilmTransistor，TFT-LCD)的视角相对较窄，使其在对视角要求严格的高端显示领域的应用带来了很大局限，如航空航天、医疗等领域。

随着LCD领域广视角技术的迅速发展，目前很多产品的视角已经可以达到水平视角和垂直视角分别为85°/85°，甚至更大的视角。LCD广视角技术主要包括多畴垂直取向(Multi-domain Vertical Alignment)技术和面内转换(In Plane Switching，IPS)技术。垂直取向模式的优点是正面对比度高，通常可以达到4000：1及以上；IPS技术通过在TFT阵列基板上形成平行且重复分布的像素电极和公共电极，使液晶分子在水平电场的作用下转动，从而形成广视角，但是其对比相对较低，通常在2000：1以下。

现有增大视角的方式主要是使主像素和子像素的亮度不一样。如图1所示，现有的液晶显示面板中的每个像素包括主像素区和子像素区，主像素区包括第一薄膜晶体管T1、第一存储电容Cst1、第一液晶电容Clc1、第一电容C1以及第二电容C2，子像素区包括第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第二存储电容Cst2以及第二液晶电容Clc2，第一薄膜晶体管T1的栅极和第二薄膜晶体管T2的栅极都与扫描线Gn连接，第一薄膜晶体管T1的源极和第二薄膜晶体管T2的源极与数据线Data连接，第一存储电容Cst1和第一液晶电容Clc1的一端与第一薄膜晶体管T1的漏极连接，第一存储电容Cst1的另一端与阵列基板侧的公共电极连接，第一液晶电容Clc1的另一端与彩膜基板侧的公共电极连接，第一电容C1的一端与第一薄膜晶体管T1的漏极连接；第一电容C1的另一端与第二电容C2连接，第二电容C2的另一端与阵列基板侧的公共电极连接。

第二存储电容Cst2和第二液晶电容Clc2的一端与第二薄膜晶体管T2的漏极连接，第二存储电容Cst2的另一端与阵列基板侧的公共电极连接；第二液晶电容Clc2的另一端与彩膜基板侧的公共电极连接，第二薄膜晶体管T2的漏极连接第三薄膜晶体管T3的源极，第三薄膜晶体管T3的漏极与第一电容C1和第二电容C2之间的节点连接，第三薄膜晶体管T3的栅极连接扫描线Gn+1。

如图2所示，Va和Vb分别表示主像素区和子像素区的电压，t1—t2时段，扫描线Gn的信号为高电平，T1和T2闭合，T3断开，Va和Vb都为高电平。t2时刻，扫描线Gn关闭，扫描线Gn+1开启，T1和T2断开，T3闭合，第二液晶电容Clc2放电，对第一电容Cl的下基板充电，使得Va的电压增大，也即Va大于Vb，从而增大了视角。但是由于薄膜晶体管的数量较多，导致开口率和穿透率降低。

因此，有必要提供一种液晶显示面板及装置，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种液晶显示面板及装置，能够在增大视角的同时，提高开口率和穿透率。

为解决上述技术问题，本发明提供一种液晶显示面板，其包括：