[发明专利]线性压控电流源拓扑结构及太阳阵模拟器有效
| 申请号： | 201710425059.9 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN107037852B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张东来;金珊珊 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H03K17/10 | 分类号： | H03K17/10;G05F1/575;G05F1/66;G01R1/28 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 王雨时 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 线性 电流 拓扑 结构 太阳 模拟器 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于太阳阵模拟器的线性压控电流源拓扑结构，其特征在于，包括：三端口线性功率复合晶体管，所述三端口线性功率复合晶体管由多个N沟道常开型JFET与N沟道常闭型MOSFET级联构成，并且控制所有的晶体管工作在线性饱和区，等效作为一个可变电阻；
所述三端口线性功率复合晶体管由一个N沟道常闭型MOSFET充当级联支路的最低端功率晶体管M，以及与M相级联的若干相同型号的N沟道常开型JFET构成；各个JFET之间的栅极和上端相邻JFET的源极之间采用相同型号的稳压管相接；
所述稳压管与对应的JFET的源极之间连接有限流电阻。
2.根据权利要求1所述的应用于太阳阵模拟器的线性压控电流源拓扑结构，其特征在于，所述N沟道常开型JFET至少为5个。
3.根据权利要求2所述的应用于太阳阵模拟器的线性压控电流源拓扑结构，其特征在于，所述稳压管的两端并联有消除噪声电容。
4.一种太阳阵模拟器，其特征在于，包括权利要求1-3中任一项所述的线性压控电流源拓扑结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学深圳研究生院，未经哈尔滨工业大学深圳研究生院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710425059.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：遥控器（RGB+CCT)
- 下一篇：话筒
