[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

说明书

一种半导体装置，具备：绝缘基板；第1半导体层，位于绝缘基板的上方；第2半导体层，位于绝缘基板的上方，由与第1半导体层不同的物质形成；绝缘层，位于绝缘基板的上方，覆盖第1半导体层与第2半导体层，并形成有贯通至第1半导体层的第1接触孔与贯通至第2半导体层的第2接触孔；阻挡层，覆盖第1接触孔内的第1半导体层与上述第2接触孔内的第2半导体层中的某一方，并具有导电性；以及第1导电层，与阻挡层接触。

相关申请的交叉引用

本申请基于并主张2016年6月10日提交的日本在先专利申请No.2016-116131号的优先权的利益，这里通过参照将其全部内容引用于此。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

薄膜晶体管根据半导体层中使用的材料的不同而显示出各种特性。例如，在将低温多晶硅半导体使用于半导体层的情况下，能够得到可靠性良好的薄膜晶体管。另外，在将氧化物半导体使用于半导体层的情况下，能够得到截止电流小的薄膜晶体管。在将具备多晶硅(polysilicon)半导体层的薄膜晶体管、以及具备氧化物半导体层的薄膜晶体管制作在同一基板上而得到的显示装置中，已知氧化物半导体层位于比多晶硅半导体层靠上层的技术。在这样的显示装置中，在形成贯通至多晶硅半导体层的接触孔之后，为了去除形成于多晶硅半导体层的表面的自然氧化膜而实施清洗。此时，担心清洗所使用的氢氟酸(HF)等清洗液导致氧化物半导体层被蚀刻。

发明内容

根据本实施方式，提供一种半导体装置，具备：绝缘基板；第1半导体层，位于上述绝缘基板的上方；第2半导体层，位于上述绝缘基板的上方，由与上述第1半导体层不同的物质形成；绝缘层，位于上述绝缘基板的上方，覆盖上述第1半导体层和上述第2半导体层，并形成有贯通至上述第1半导体层的第1接触孔和贯通至上述第2半导体层的第2接触孔；阻挡层，将上述第1接触孔内的上述第1半导体层和上述第2接触孔内的上述第2半导体层中的某一方覆盖，并具有导电性；以及第1导电层，与上述阻挡层接触。

根据本实施方式，提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具备绝缘基板、第1绝缘层、位于上述第1绝缘层的上方的第2绝缘层、位于上述绝缘基板与上述第1绝缘层之间的第1半导体层、以及位于上述第1绝缘层与上述第2绝缘层之间并由与上述第1半导体层不同的物质形成的第2半导体层，其中，该半导体装置的制造方法具备如下工序：形成将上述第2绝缘层贯通至上述第2半导体层的第1接触孔，在上述第2绝缘层和上述第1接触孔内的上述第2半导体层上将导电性的阻挡层成膜，形成将上述阻挡层、上述第1绝缘层以及上述第2绝缘层贯通至上述第1半导体层的第2接触孔，形成在上述第1接触孔内与上述阻挡层接触且在上述第2接触孔内与上述第2半导体层接触的第1导电层。

根据本实施方式，提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具备绝缘基板、第1绝缘层、位于上述第1绝缘层的上方的第2绝缘层、位于上述绝缘基板与上述第1绝缘层之间的第1半导体层、以及位于上述第1绝缘层与上述第2绝缘层之间并由与上述第1半导体层不同的物质形成的第2半导体层，其中，该半导体装置的制造方法具备如下工序：形成将上述第1绝缘层以及上述第2绝缘层贯通至上述第1半导体层的第1接触孔，在上述2绝缘层和上述第1接触孔内的上述第1半导体层上将导电性的阻挡层成膜，形成将上述阻挡层以及上述第2绝缘层贯通至上述第2半导体层的第2接触孔，形成在上述第1接触孔内与上述阻挡层接触且在上述第2接触孔内与上述第2半导体层接触的上述第1导电层。

根据本实施方式，能够提供可抑制可靠性降低且能够高效地生产的半导体装置、以及半导体装置的制造方法。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体装置的构成的一个例子的剖面图，

图2A是表示第1实施方式的接触孔的形成工序的剖面图，

图2B是表示第1实施方式的阻挡层的成膜工序的剖面图，