[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上顺序地形成半导体层、第一牺牲层和第二牺牲层；

图案化所述第二牺牲层以形成第二牺牲图案；

在所述第二牺牲图案的相反侧上分别形成间隔物图案，其中所述间隔物图案的间距是恒定间距，并且所述间隔物图案的宽度是恒定宽度；

去除所述第二牺牲图案；

形成覆盖所述间隔物图案的掩模层；

在所述掩模层上形成支持图案，其中所述支持图案的宽度大于所述间隔物图案的宽度，并且所述支持图案与所述间隔物图案的至少一部分交叠；

将所述支持图案和所述间隔物图案转移到所述第一牺牲层上以形成牺牲栅极图案和牺牲支持图案；以及

将所述牺牲栅极图案和所述牺牲支持图案转移到所述半导体层上以形成栅极和支持栅极，

其中相邻栅极之间的间距等于所述支持栅极与最相邻的栅极之间的间距，并且等于所述间隔物图案的所述恒定间距。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述间隔物图案包括氧化物膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲支持图案包括第一牺牲支持图案和第二牺牲支持图案，并且所述第一牺牲支持图案形成在所述第二牺牲支持图案与所述牺牲栅极图案之间。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一牺牲支持图案的宽度与所述第二牺牲支持图案的宽度不同。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一牺牲支持图案与所述第二牺牲支持图案之间的间距与所述间隔物图案的间距不同。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一牺牲支持图案与所述第二牺牲支持图案之间的间距大于所述间隔物图案的所述间距。

7.根据权利要求5所述的方法，其中：

将所述牺牲支持图案转移到所述半导体层上包括将所述第一牺牲支持图案和所述第二牺牲支持图案转移到所述半导体层上以形成第一支持栅极和第二支持栅极，以及

所述第一支持栅极和所述第二支持栅极之间的间距等于相邻栅极之间的所述间距。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅极和所述支持栅极在第一方向上平行延伸。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括鳍型图案，所述鳍型图案比所述衬底更远地突出，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，并且形成在所述栅极和所述支持栅极下方。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述鳍型图案是多个，并且所述半导体器件还包括形成在所述鳍型图案之间的场绝缘膜。

11.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上顺序地形成半导体层、第一牺牲层、第二牺牲层和第一掩模层；

使用曝光图案化所述第一掩模层以形成第一掩模图案；

将所述第一掩模图案转移到所述第二牺牲层上以形成第二牺牲图案；

在所述第二牺牲图案的相反侧上形成间隔物图案；

形成覆盖所述间隔物图案的第二掩模层；

在所述第二掩模层上形成支持图案，其中所述支持图案与所述间隔物图案交叠；

使用曝光图案化所述第二掩模层以形成第二掩模图案；

将所述第二掩模图案和所述间隔物图案转移到所述第一牺牲层上以形成牺牲栅极图案和牺牲支持图案；以及

将所述牺牲栅极图案和所述牺牲支持图案转移到所述半导体层上以形成栅极和支持栅极，使得相邻栅极之间的间距等于所述支持栅极与最相邻的栅极之间的间距，并且等于所述间隔物图案的恒定间距。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述半导体层包括栅极层和在所述栅极层上的盖层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述栅极层包括多晶硅，并且所述盖层包括SiN。