[发明专利]一种抗刮痕全息存储卡的制备方法

说明书

本发明公开了一种抗刮痕全息存储卡的制备方法，包括如下步骤：（1）制备光致聚合物材料；（2）覆盖粘结胶层和第二基片；（3）抽真空处理；（4）成品。本发明一种抗刮痕全息存储卡的制备方法，操作简便，容易实现，其通过光致聚合物和粘结胶层的选择和设计，有效提高了全息存储卡的光学性能和物理性能，其优异的宽温抗刮伤性能有效提高了全息存储卡的应用领域，综合性能优异。

技术领域

本发明涉及存储介质制备技术领域，特别是涉及一种抗刮痕全息存储卡的制备方法。

背景技术

全息存储技术因其采用以一页一页的形式进行光记录和读取，在容量和速度方面有着巨大的潜力，一直是高密度电子信息存储最有力的竞争者。目前，全息存储材料涉及卤化银敏化明胶、重铬酸盐明胶、高分子光致聚合物等，高分子光致聚合物具有高的衍射效率、高的灵敏度、大的动态范围以及易于合成、成本低廉、化学组成范围宽、能大规模生产，广泛应用于全息干涉、全息衍射、全息扫描、光学图像复用、全息防伪、全息光学器件等领域。

但现有的全息存储卡制备复杂，结构强度低，表面易刮伤，使用寿命较短。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种抗刮痕全息存储卡的制备方法。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种抗刮痕全息存储卡的制备方法，包括如下步骤：

（1）制备光致聚合物材料：

a、称取原料：按重量份称取双酚A二缩水甘油醚60～80份、五乙烯六胺20～30份、苯基甲基丙烯酸酯30～35份、引发剂0.1～0.5份、纳米二氧化硅5～10份；

b、原料混合：在常温条件下，将步骤（1）中称取的双酚A二缩水甘油醚、五乙烯六胺和纳米二氧化硅加入搅拌反应器中搅拌混合均匀，然后再加入称好的苯基甲基丙烯酸酯和引发剂，接续搅拌混合至均匀；

c、超声分散：将步骤（2）中混合均匀的原料置于超声仪中，室温下超声分散15～20min，得到聚合物溶液；

d、制备光致聚合物涂膜层：将步骤c中超声分散后的聚合物溶液在第一基片上涂敷成一定厚度，然后将其置于真空干燥箱中，在一定条件下干燥固化，得到所述环氧树脂光致聚合物膜；

（2）覆盖粘结胶层和第二基片：在步骤（1）中第一基片上已固化的光致聚合物膜的上面依次水平铺放一层粘结胶层和第二基片，并使所述粘结胶层和第二基片全覆盖所述第一基片；

（3）抽真空处理：将步骤（2）中得到的逐层铺设的第一基片、粘结胶层和第二基片放置于带有抽气孔的真空袋内进行抽真空挤压处理；

（4）成品：将步骤（3）中抽真空处理后的真空袋放气处理，并将至室温，取出粘结好的卡经裁剪得到所述全息存储卡。

在本发明一个较佳实施例中，所述步骤（1）的步骤d中，所述厚度为180～220nm；所述真空干燥的条件为：真空度0.003～0.005 MPa、40～60℃，时间20~40h。

在本发明一个较佳实施例中，所述步骤（2）中的粘结胶层为乙烯-醋酸乙烯共聚物胶层或聚乙烯醇缩丁醛胶层。

在本发明一个较佳实施例中，所述粘结胶层的厚度为0.35～0.38mm。

在本发明一个较佳实施例中，所述步骤（3）中，所述抽真空挤压处理的工艺条件为：真空度0.001～0.003MPa，温度80～90℃，抽真空时间5～10s，恒温恒压时间30～60s。

在本发明一个较佳实施例中，所述第一基片层和第二基片层为聚碳酸酯层或光学玻璃层，所述光学玻璃层上涂覆固化所述光致聚合物的一面上还涂覆有一层聚碳酸酯。