[发明专利]一种芯片级封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种芯片级封装结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底上形成多个集成电路，所述集成电路包括一个或多个电子元器件以及金属互联层；

在所述衬底远离所述集成电路的一侧切割所述衬底以划分所述多个集成电路，沿所述切割的切割线，露出所述金属互联层靠近所述衬底一侧的部分表面；

在所述衬底远离所述集成电路的一侧形成屏蔽金属层，所述屏蔽金属层经所述切割线露出的衬底侧壁延伸至所述金属互联层，与所述金属互联层实现电连接；

沿所述切割线进行二次切割，以获取多个分立的所述芯片级封装结构。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述切割和所述二次切割采用相同工艺进行。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在在于，所述切割和所述二次切割采用激光切割工艺进行。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底远离所述集成电路的一侧形成屏蔽金属层之前，还包括：

在所述衬底远离所述集成电路的一侧减薄所述衬底。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沿所述切割线进行二次切割之前，还包括：

采用焊球阵列封装或栅格阵列封装的方式进行封装工艺。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多个集成电路在所述衬底上呈矩阵排列。

7.一种芯片级封装结构，其特征在于，包括：

衬底；

形成于所述衬底第一表面上的集成电路，所述集成电路包括一个或多个电子元器件以及金属互联层；

形成于所述衬底除所述第一表面外的其他表面上的屏蔽金属层，所述屏蔽金属层与所述金属互联层电连接。

8.根据权利要求7所述的芯片级封装结构，其特征在于，所述衬底包括硅衬底、玻璃衬底、石英衬底以及蓝宝石衬底。

9.根据权利要求7所述的芯片级封装结构，其特征在于，所述屏蔽金属层包括至少一层导电金属层。

10.根据权利要求9所述的芯片级封装结构，其特征在于，所述屏蔽金属层包括一层导电金属层时，所述屏蔽金属层的材料包括铜。

11.根据权利要求9所述的芯片级封装结构，其特征在于，所述屏蔽金属层包括靠近所述衬底一侧的第一导电金属层、远离所述衬底一侧的第三导电金属层以及位于所述第一导电金属层和所述第三导电金属层之间的第二导电金属层；

所述第一导电金属层的厚度取值范围为100-300nm，所述第二导电金属层的厚度取值范围为10-20μm，所述第三导电金属层的厚度取值范围为1-5μm。

12.根据权利要求11所述的芯片级封装结构，其特征在于，所述第三导电金属层的材料包括镍。

13.根据权利要求9所述的芯片级封装结构，其特征在于，所述屏蔽金属层包括至少两层导电金属层时，任意相邻所述导电金属层之间包括介电材料层。

14.根据权利要求9所述的芯片级封装结构，其特征在于，所述至少一层导电金属层包括至少一层图形化导电金属层。