[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法、阵列基板和液晶显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在一基板上形成屏蔽金属；

在所述屏蔽金属和所述基板未形成屏蔽金属的区域上沉积阻挡绝缘层；

在所述阻挡绝缘层上形成金属氧化物半导体层，所述金属氧化物半导体层包括源区、漏区和沟道区；

在所述金属氧化物半导体层的沟道区上形成栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上形成栅极；

通过金属刻蚀溶液对所述金属氧化物半导体层的源区和漏区进行刻蚀，以使所述源区和漏区处的金属氧化物半导体层转变为导体，其中所述金属氧化物半导体层为铟镓锌氧化物IGZO半导体层，所述金属刻蚀溶液为铜刻蚀溶液，以使得所述铜刻蚀溶液对所述IGZO半导体层的源区和漏区的镓元素进行刻蚀，保留铟元素和锌元素；

对所述金属刻蚀溶液进行清除，并继续在所述金属氧化物半导体层、栅极和阻挡绝缘层上依次沉积层间绝缘层、源极、漏极、钝化层和像素电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属刻蚀溶液的PH值范围为[3.8,4.5]。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述金属刻蚀溶液进行清除，包括：

对所述基板、金属氧化物半导体层、栅极绝缘层和栅极进行酸洗，以清除所述金属刻蚀溶液。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述导体化的金属氧化物半导体层、栅极和阻挡绝缘层上依次沉积层间绝缘层、源极、漏极、钝化层和像素电极，包括：

在所述导体化的金属氧化物半导体层、栅极和阻挡绝缘层上沉积层间绝缘层；

利用第一道光罩对所述层间绝缘层进行图案化处理，以形成第一接触孔图案，所述第一接触孔图案对应于所述金属氧化物半导体层的漏区和源区；

在所述层间绝缘层上沉积第一导电层，并利用第二道光罩对所述第一导电层进行图案化处理，以形成漏极和源极，所述漏极和源极分别对应于所述金属氧化物半导体层的漏区和源区；

在所述层间绝缘层和第一导电层上沉积钝化层，利用第三道光罩对所述钝化层进行图案化处理，以形成第二接触孔图案，所述第二接触孔图案对应于所述漏极；

在所述钝化层上沉积第二导电层，利用第四道光罩对所述第二导电层进行图案化处理以形成所述像素电极。

5.一种阵列基板，其特征在于，包括基板，以及若干个设置在所述基板上的薄膜晶体管；其中，所述薄膜晶体管包括：

设置在所述基板上的屏蔽金属；

设置在所述屏蔽金属上的阻挡绝缘层；

设置在所述阻挡绝缘层上的金属氧化物半导体层，所述金属氧化物半导体层包括源区、漏区和沟道区；

设置在所述金属氧化物半导体层的沟道区上的栅极绝缘层和栅极；设置在所述金属氧化物半导体层、栅极和阻挡绝缘层上的层间绝缘层、源极、漏极、钝化层和像素电极；

所述源极与所述金属氧化物半导体层的源区连接，所述漏极与所述金属氧化物半导体层的漏区接触，所述像素电极与所述漏极接触；

其中，所述金属氧化物半导体层的源区和漏区是经过金属刻蚀溶液刻蚀的，所述金属氧化物半导体层为铟镓锌氧化物IGZO半导体层，所述金属刻蚀溶液为铜刻蚀溶液，以使得所述铜刻蚀溶液对所述铟镓锌氧化物IGZO半导体层的源区和漏区的镓元素进行刻蚀，保留铟元素和锌元素。

6.一种液晶显示面板，包括阵列基板、彩膜基板以及夹置在所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶，其中，所述阵列基板为权利要求5所述的阵列基板。