[发明专利]存储器及其形成方法、半导体器件

权利要求书

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底上形成多个呈阵列式排布且沿第一方向延伸的有源区，其中位于第二方向上的同一列中的所述有源区呈对齐排布，所述有源区上形成有位线接触区和多个延伸在所述第一方向上且位于所述位线接触区两侧的存储节点接触区；

形成多条位线在所述衬底上，对齐排布的两个相邻的所述存储节点接触区分别位于所述位线的两侧，以及在两个相邻的所述位线之间对应有多个所述存储节点接触区；

依次形成一第一隔离层和一盖层在所述衬底上，所述第一隔离层填充在相邻的所述位线之间，并且所述第一隔离层不覆盖所述位线，所述盖层形成在所述第一隔离层和所述位线上，且所述盖层中形成有一开口，所述开口至少暴露出同一列中位于相邻的所述位线之间且相邻的所述存储节点接触区之间的所述第一隔离层；

通过所述开口去除位于所述盖层下方的部分所述第一隔离层，以形成一空腔，在所述空腔中暴露有多个所述存储节点接触区；

通过所述开口形成一导电材料层在所述空腔中，所述导电材料层中形成有一贯穿所述导电材料层且对应所述开口的凹槽，位于所述凹槽两侧的所述导电材料层与所述存储节点接触区电性连接，以构成存储节点接触；以及，

形成一第二隔离层在所述凹槽中，所述第二隔离层隔离相邻的所述存储节点接触。

2.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，在所述衬底中还形成有多条字线，所述字线沿所述第二方向延伸。

3.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述位线之后，以及形成所述第一隔离层和所述盖层之前，还包括：

形成一保护层在所述衬底上，所述保护层至少覆盖所述位线的侧壁。

4.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层不高于所述位线，所述开口只暴露出同一列中位于相邻的所述位线之间且相邻的所述存储节点接触区之间的所述第一隔离层。

5.如权利要求4所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述开口在平形于所述衬底的表面的截面形状为圆形、椭圆形或矩形。

6.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层不高于所述位线，所述开口暴露出同一列中在第一方向上相邻的所述存储节点接触区之间连续区域。

7.如权利要求6所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述开口在对应所述位线接触区的位置上沿所述第二方向延伸。

8.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，形成所述第二隔离层之后，还包括：

去除所述盖层，暴露出所述导电材料层；

刻蚀部分所述导电材料层；以及，

形成导电接触层在刻蚀后的所述导电材料层上。

9.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第二隔离层的形成方法包括：

形成一第一隔离材料层在所述凹槽的底部和侧壁上；以及，

形成一第二隔离材料层在所述第一隔离材料层上，所述第二隔离材料层填充所述凹槽。

10.如权利要求1至9项任一项所述的存储器的形成方法，其特征在于，由多个所述有源区排布形成的阵列中布置有多个列，通过所述开口去除部分所述第一隔离层时，在相邻的列之间还剩余有部分所述第一隔离层。