[发明专利]一种超硬防辐射玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种超硬防辐射玻璃，其特征在于：包括玻璃基板，玻璃基板上表面开设有若干“S”形孔和“O”形孔，“S”形孔和“O”形孔相邻，胶体填充在“S”形孔和“O”形孔中，胶体的折射率与玻璃基板的折射率相同，玻璃基板从下到上依次设置第一二氧化钛层，厚度为15nm；氧化铝作为纳米缓冲层，厚度为8nm，第二二氧化钛层，厚度66nm；第一Co-Ni-Cr-Al-Y膜层，厚度4nm；Ag膜层，厚度4.5nm；第二Co-Ni-Cr-Al-Y膜层，厚度42nm；氧化硅作为过渡层，厚度38nm；氮化硅作为缓冲纳米层，厚度为9nm；氮化碳纳米层，厚度为22nm。

2.根据权利要求1所述的超硬防辐射玻璃，其特征在于：所述“S”形孔和“O”形孔的孔径为98nm。

3.根据权利要求1所述的超硬防辐射玻璃，其特征在于：所述“O”形孔整个孔径为550nm。

4.根据权利要求1所述的超硬防辐射玻璃，其特征在于：所述胶体为聚甲基丙烯酸甲酯或者环氧基树脂。

5.根据权利要求1所述的超硬防辐射玻璃，其特征在于：所述胶体与玻璃基板相平齐。

6.根据权利要求1～6任一项所述的超硬防辐射玻璃的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、取一玻璃基板，玻璃基板上开设有若干“S”形孔和“O”形孔；

(2)、向“S”形孔和“O”形孔内填充胶体，胶体的折射率与所述玻璃基板的折射率相同或相近；

(3)、对胶体进行整平和固化处理；

(4)、在步骤(3)的基体上通过设置条形阳极层离子源的磁控反应溅射镀层工艺镀制第一二氧化钛层、纳米缓冲层及第二二氧化钛层；

(5)、充入Ar，靶材为第一Co-Ni-Cr-Al-Y膜层靶，沉积厚度4nm；

(6)、充入Ar，靶材为Ag靶，在第一Co-Ni-Cr-Al-Y膜上沉积Ag膜，厚度4.5nm；

(7)、充入Ar，靶材为第二Co-Ni-Cr-Al-Y膜层靶，在Ag膜上沉积第二Co-Ni-Cr-Al-Y膜层，厚度42nm；

(8)、通过设置条形阳极层离子源的磁控反应溅射镀层工艺镀制过渡层，厚度38nm；氮化硅作为缓冲纳米层，厚度为9nm；氮化碳纳米层，厚度为22nm。

7.根据权利要求6所述的超硬防辐射玻璃的制备方法，其特征在于：所述条形阳极层离子源的磁控反应溅射镀层工艺，条形阳极层离子源，长度为1500mm，大于溅射靶材的长度，该离子源的基本参数设定为：放电电压200～500V、束流平均能量大约为放电电压的55％、放电电流为≤9A、供气量为160scmm氩气。

8.根据权利要求7所述的超硬防辐射玻璃的制备方法，其特征在于：所述镀制氮化碳镀层环节中用分子泵优化排列和靶位隔离形成井喷，从而阻断氧气与氮气互窜，保证氮化物纯度，获得稳定的氮化碳纳米层。

9.根据权利要求8所述的超硬防辐射玻璃的制备方法，其特征在于：所述步骤(7)中加入1％体积的醋酸。

10.根据权利要求9所述的超硬防辐射玻璃的制备方法，其特征在于：还包括清洗步骤，采用超声波振荡清洗，之后在温度115℃下进行干燥，获得成品。