[发明专利]一种高温特性的半导体芯片加工工艺

权利要求书

1.一种高温特性的半导体芯片加工工艺，其特征在于，GPP晶粒加工流程依次包括以下步骤：氧化→P面一次胶→单面光刻显定影→去氧化→背胶→硬烤→开沟→去胶→MOR→电泳前清洗→电泳→玻融烧结→去氧化/玻璃→镀镍→点测→打标→激光划片→裂片→晶粒清洗→包装出货。

2.根据权利要求1所述的一种高温特性的半导体芯片加工工艺，其特征在于：所述氧化生长SiO2层厚度1-2nm；氧化炉温800℃，通湿氧5分钟或720℃，通湿氧10-15分钟。

3.根据权利要求1所述的一种高温特性的半导体芯片加工工艺，其特征在于：所述单面光刻显定影采用光刻胶掩膜及刻蚀V型槽或机械式划V型槽。

4.根据权利要求1所述的一种高温特性的半导体芯片加工工艺，其特征在于：所述电泳前清洗用混合酸、清洗剂和纯水在清洗槽或超声波清洗机内清洗硅片，使其表面洁净并烘干。

5.根据权利要求1所述的一种高温特性的半导体芯片加工工艺，其特征在于：所述电泳包括以下步骤：

S1、将硝酸、氢氟酸、冰醋酸混合配制腐蚀溶液，用其将扩散后的硅片腐蚀出PN结台面沟槽，然后用水将其冲洗干净；

S2、将异丙醇、铅系玻璃粉、二元醇-环氧乙烷聚合物按比例混合配制成玻璃浆；

S3、将乙酸乙脂与步骤S2配制的玻璃浆混合配制电泳液，混合后形成悬浮液，按电泳液体积比例滴入硝酸和高纯丙酮；

S4、将装有S3制备好的电泳液的石英方杯放置在电泳装置中，用超声波装置对电泳液进行10min超声处理，静置10min后备用；

S5、将经S1处理过的硅片置于电泳液中，将电泳时间设置在1至2min，然后进行电泳。

6.根据权利要求5所述的一种高温特性的半导体芯片加工工艺，其特征在于：所述S1配制腐蚀溶液按体积比硝酸：氢氟酸：冰醋酸＝3-5：3：1。

7.根据权利要求5所述的一种高温特性的半导体芯片加工工艺，其特征在于：所述S2玻璃浆组成质量比为异丙醇：铅系玻璃粉∶二元醇-环氧乙烷聚合物为237∶25∶3。

8.根据权利要求5所述的一种高温特性的半导体芯片加工工艺，其特征在于：所述S3配制电泳液组成质量比为乙酸乙酯/玻璃浆＝2.5。

9.根据权利要求5所述的一种高温特性的半导体芯片加工工艺，其特征在于：所述3滴入0.02％硝酸和0.08％高纯丙酮。

10.根据权利要求5所述的一种高温特性的半导体芯片加工工艺，其特征在于：所述S5电泳电压为直流电压200V。