[发明专利]电子部件装置、电子部件装置向电路基板的安装方法及安装构造有效
申请号: | 201710430046.0 | 申请日: | 2017-06-08 |
公开(公告)号: | CN107546135B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 渡边一嗣 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/49;H05K3/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李逸雪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 部件 装置 路基 安装 方法 构造 | ||
1.一种电子部件装置,具备:
安装基板,在一个主面形成有外部电极,在另一主面形成有安装用电极;
至少1个基板部件,在一个主面形成有端子电极,通过将所述端子电极接合于所述安装用电极而被安装到所述安装基板上;和
密封树脂层,形成在安装有所述基板部件的所述安装基板上,
其中,在所述密封树脂层设置有厚度大的区域,且在所述密封树脂层的顶面形成有倾斜,
在平面方向进行了透视的情况下,
在所述安装基板设置所述外部电极的形成密度低的区域,
所述密封树脂层的所述厚度大的区域和所述安装基板的所述外部电极的所述形成密度低的区域重叠。
2.根据权利要求1所述的电子部件装置,其中,
所述密封树脂层的所述厚度大的区域是通过在该区域安装了所述基板部件而被设置的。
3.根据权利要求1所述的电子部件装置,其中,
所述密封树脂层的所述厚度大的区域是通过在该区域安装了与其他所述基板部件相比厚度大的所述基板部件而被设置的。
4.根据权利要求1所述的电子部件装置,其中,
所述密封树脂层的形成是通过使用金属模具的模塑来进行的,
所述密封树脂层的所述厚度大的区域是通过使所述金属模具的间隔在该区域增大而被设置的。
5.根据权利要求1所述的电子部件装置,其中,
设置于所述密封树脂层的顶面的所述倾斜是通过切削所述密封树脂层的顶面而被设置的。
6.一种电子部件装置,其中,
安装基板,在一个主面形成有外部电极,在另一主面形成有安装用电极;
至少1个基板部件,在一个主面形成有端子电极,通过将所述端子电极接合于所述安装用电极而被安装到所述安装基板上;和
密封树脂层,形成在安装有所述基板部件的所述安装基板上,
其中,在所述密封树脂层设置有厚度大的区域,且在所述密封树脂层的顶面形成有倾斜,
所述外部电极被分类为信号用外部电极和接地用外部电极,
在平面方向进行了透视的情况下,
在所述安装基板设置所述接地用外部电极的形成密度高的区域,
所述密封树脂层的所述厚度大的区域和所述安装基板的所述接地用外部电极的所述形成密度高的区域重叠。
7.根据权利要求6所述的电子部件装置,其中,
所述密封树脂层的所述厚度大的区域是通过在该区域安装了所述基板部件而被设置的。
8.根据权利要求6所述的电子部件装置,其中,
所述密封树脂层的所述厚度大的区域是通过在该区域安装了与其他所述基板部件相比厚度大的所述基板部件而被设置的。
9.根据权利要求6所述的电子部件装置,其中,
所述密封树脂层的形成是通过使用金属模具的模塑来进行的,
所述密封树脂层的所述厚度大的区域是通过使所述金属模具的间隔在该区域增大而被设置的。
10.根据权利要求6所述的电子部件装置,其中,
设置于所述密封树脂层的顶面的所述倾斜是通过切削所述密封树脂层的顶面而被设置的。
11.一种电子部件装置向电路基板的安装构造,其中,
所述电路基板在一个主面形成安装用电极,
所述电子部件装置是权利要求1或者6所述的电子部件装置,
通过接合构件来接合形成于所述电路基板的所述安装用电极与形成于所述电子部件装置的所述安装基板的所述外部电极,
安装后的所述电子部件装置在所述密封树脂层的厚度大的区域内高度最大。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所,未经株式会社村田制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710430046.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶片级芯片尺度半导体封装
- 下一篇:制品及用于制造腔室的腔室组件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造