[发明专利]半导体封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

一载板，具有一上表面及一下表面，该载板包括多个内连接端与多个外连接端，这些内连接端与这些外连接端分别位于该载板的该上表面与该下表面上；

一芯片，位于该载板的该上表面上；

多个凸块，用以电性连接该芯片及该载板的这些内连接端；

一封装层，用以包覆这些凸块、该芯片及该载板的该上表面，该封装层具有一上表面与至少一侧面；以及

一热膨胀匹配层，覆盖于该封装层的整个上表面，并暴露出该封装层的该至少一侧面，其中，该热膨胀匹配层的热膨胀系数与该封装层的热膨胀系数不同，且该热膨胀匹配层的边缘与该封装层的边缘齐平。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该芯片具有一背面与至少一侧面，该封装层包覆这些凸块、该芯片的侧面以及该载板的该上表面，而该热膨胀匹配层覆盖于该封装层的整个上表面与该芯片的整个背面。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该封装层包覆这些凸块、该载板的该上表面以及整个芯片。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该封装层与该热膨胀匹配层分别包括一第一型环氧树脂封装材料与一第二型环氧树脂封装材料，该第一型环氧树脂封装材料与该第二型环氧树脂封装材料均包括二氧化硅、环氧树脂、硬化剂与耐燃剂，且该第一型环氧树脂封装材料与该第二型环氧树脂封装材料彼此的成分比例不同。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该热膨胀匹配层包括环氧树脂或聚酰亚胺。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括多个锡球，设置在该载板的该下表面上，且与这些外连接端电性连接。

7.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该载板的这些外连接端为多个接触点。

8.一种制作半导体封装结构的方法，其特征在于，包括：

提供一集合载板，该集合载板具有一上表面及一下表面，该集合载板包括多个内连接端与多个外连接端，这些内连接端与这些外连接端分别位于该集合载板的该上表面与该下表面上；

提供多个芯片；

在这些芯片上形成多个凸块；

将这些芯片放置在该集合载板的该上表面上，使这些凸块电性连接这些芯片及该集合载板的这些内连接端；

形成一封装层，以包覆这些凸块、这些芯片及该集合载板的该上表面，该封装层具有一上表面与至少一侧面；

形成一热膨胀匹配层，以覆盖于该封装层的整个上表面，其中，该热膨胀匹配层的热膨胀系数与该封装层的热膨胀系数不同；以及

进行一切割工艺，用以切割该集合载板、该热膨胀匹配层与该封装层，使该热膨胀匹配层的边缘与该封装层的边缘齐平。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成该热膨胀匹配层之前，还包括利用一化学机械研磨工艺或一研磨工艺来薄化该封装层的一步骤。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，薄化该封装层的该步骤用以暴露出部分的该芯片，使后续形成的该热膨胀匹配层覆盖于该封装层的整个上表面与部分的该芯片上。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，形成该热膨胀匹配层的该步骤包括一压合工艺或一涂布工艺。