[发明专利]一种利用MCU内部Flash存储KVM通道信息的方法在审
申请号: | 201710431839.4 | 申请日: | 2017-06-09 |
公开(公告)号: | CN107168889A | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | 赵瑞东;张久明;陈乃阔 | 申请(专利权)人: | 山东超越数控电子有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 济南信达专利事务所有限公司37100 | 代理人: | 孙晶伟 |
地址: | 250100 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 mcu 内部 flash 存储 kvm 通道 信息 方法 | ||
1.一种利用MCU内部Flash存储KVM通道信息的方法,其特征是利用MCU控制程序在Flash相应存储操作之前对Flash进行解锁,清除Flash数据位,擦除待编程的地址,写入需要存储的KVM通道信息数据。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征是所述对Flash进行解锁是指MCU控制程序按顺序向 FLASH关键码寄存器写入正确的关键码。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征是所述清除Flash数据位,擦除待编程的地址是指以Flash扇区为单位,将扇区内所有字节置为 0xFF。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征是所述写入需要存储的KVM通道信息数据是指在清除Flash数据位,擦除待编程的地址后,向Flash的目的地址以字节的方式写入数据。
5.一种利用MCU内部Flash存储KVM通道信息的系统,其特征是包括控制模块、解锁模块、擦除模块、写入模块,
控制模块用于MCU控制Flash进行操作,
解锁模块用于MCU控制Flash相应存储操作之前在控制模块中进行解锁,
擦除模块用于Flash清除数据位,擦除待编程的地址,
写入模块用于Flash写入KVM通道信息的数据。
6.根据权利要求5所述的系统,其特征是所述解锁模块采用解锁函数,按顺序向 FLASH关键码寄存器写入正确的关键码进行解锁。
7.根据权利要求5或6所述的系统,其特征是所述擦除模块采用擦除函数以Flash扇区为单位,将扇区内所有字节置为 0xFF。
8.根据权利要求7所述的系统,其特征是所述写入模块采用写入函数向Flash的目的地址以字节的方式写入数据。
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