[发明专利]一种利用MCU内部Flash存储KVM通道信息的方法在审

专利信息
申请号: 201710431839.4 申请日: 2017-06-09
公开(公告)号: CN107168889A 公开(公告)日: 2017-09-15
发明(设计)人: 赵瑞东;张久明;陈乃阔 申请(专利权)人: 山东超越数控电子有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 济南信达专利事务所有限公司37100 代理人: 孙晶伟
地址: 250100 山东省*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 利用 mcu 内部 flash 存储 kvm 通道 信息 方法
【权利要求书】:

1.一种利用MCU内部Flash存储KVM通道信息的方法,其特征是利用MCU控制程序在Flash相应存储操作之前对Flash进行解锁,清除Flash数据位,擦除待编程的地址,写入需要存储的KVM通道信息数据。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征是所述对Flash进行解锁是指MCU控制程序按顺序向 FLASH关键码寄存器写入正确的关键码。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征是所述清除Flash数据位,擦除待编程的地址是指以Flash扇区为单位,将扇区内所有字节置为 0xFF。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征是所述写入需要存储的KVM通道信息数据是指在清除Flash数据位,擦除待编程的地址后,向Flash的目的地址以字节的方式写入数据。

5.一种利用MCU内部Flash存储KVM通道信息的系统,其特征是包括控制模块、解锁模块、擦除模块、写入模块,

控制模块用于MCU控制Flash进行操作,

解锁模块用于MCU控制Flash相应存储操作之前在控制模块中进行解锁,

擦除模块用于Flash清除数据位,擦除待编程的地址,

写入模块用于Flash写入KVM通道信息的数据。

6.根据权利要求5所述的系统,其特征是所述解锁模块采用解锁函数,按顺序向 FLASH关键码寄存器写入正确的关键码进行解锁。

7.根据权利要求5或6所述的系统,其特征是所述擦除模块采用擦除函数以Flash扇区为单位,将扇区内所有字节置为 0xFF。

8.根据权利要求7所述的系统,其特征是所述写入模块采用写入函数向Flash的目的地址以字节的方式写入数据。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东超越数控电子有限公司,未经山东超越数控电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710431839.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top