[发明专利]电化学生物传感器电极、传感器及其制备方法有效
申请号: | 201710433421.7 | 申请日: | 2017-06-09 |
公开(公告)号: | CN107422012B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 冯雪;鲁思渊;陈毅豪;方旭飞;苏红宏 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01N27/327 | 分类号: | G01N27/327;G01N27/48;C23C28/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电化学 生物 传感器 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种电化学生物传感器电极,其特征在于,所述电极包括:基底、基底之上的金薄膜,以及形成于所述金薄膜之上的修饰层,
所述金薄膜为使用溅射沉积法形成,其厚度为200-400nm,
所述修饰层中包括普鲁士蓝,且其厚度为40-110nm,
所述普鲁士蓝的至少一部分以球形和/或立方状颗粒形式存在。
2.根据权利要求1所述的传感器电极,其特征在于,所述基底选自碳基底、玻碳基底、半导体基底或导电高分子膜基底,
所述碳基底选自:石墨、碳纳米管、石墨烯、类金刚石碳或硼掺杂金刚石;
半导体基底选自:硅基底、或ITO、IZO、AZO、FTO半导体透明导电膜。
3.根据权利要求2所述的传感器电极,其特征在于,所述半导体基底为硅基底。
4.根据权利要求1-3任一项所述的传感器电极,其特征在于,在基底与金薄膜之间存在金属过渡层,所述金属过渡层包含选自Cr、Ti以及它们的合金中的至少任一者。
5.根据权利要求4所述的传感器电极,其特征在于,所述金属过渡层采用溅射沉积法形成,其厚度为10-40nm。
6.根据权利要求1-3任一项所述的传感器电极,其特征在于,所述修饰层通过电化学沉积法形成。
7.一种电化学生物传感器,其特征在于,其是基于根据权利要求1-6任一项所述的传感器电极而得到。
8.一种过氧化氢检测用电化学生物传感器,其特征在于,所述传感器为根据权利要求7所述的传感器,所述传感器检测过氧化氢的灵敏度为250-350mA/Mcm2,检测极限为0.77μM以上,线性范围为1-XμM,所述X为大于1500且在4500以下的数值。
9.一种电化学生物传感器电极的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
形成基底电极的步骤,以及在基底电极上沉积修饰层的步骤,
所述形成基底电极的步骤中包括,通过溅射法在基底上沉积金薄膜的步骤,
所述在基底电极上形成修饰层的步骤为通过电化学沉积方法形成修饰层,所述修饰层中包括普鲁士蓝,
所述金薄膜厚度为200-400nm,所述修饰层厚度为40-110nm,
所述普鲁士蓝的至少一部分以球形和/或立方状颗粒形式存在。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,在所述形成基底电极的步骤中,还包括在基底上沉积金薄膜之前,预先沉积金属过渡层的步骤,所述金属过渡层包含选自Cr、Ti以及它们的合金中的至少任一者。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述金属过渡层通过溅射方法进行沉积,厚度为10-40nm。
12.一种过氧化氢检测用电化学生物传感器的制备方法,其特征在于,其包括根据权利要求9-11任一项所述的方法,所述传感器的检测灵敏度为250-350mA/Mcm2,检测极限为0.77μM以上,线性范围为1-XμM,所述X为大于1500且在4500以下的数值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710433421.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。