[发明专利]太阳能电池镀膜设备及太阳能电池链式生产设备有效
申请号: | 201710435949.8 | 申请日: | 2017-06-09 |
公开(公告)号: | CN107086255B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 上官泉元;庄正军;朱广东;侯岳明;杨玉杰 | 申请(专利权)人: | 常州比太科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C16/02;C23C16/24;C23C16/34;C23C16/44 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 唐维虎 |
地址: | 213000 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 镀膜 设备 链式 生产 | ||
本发明涉及太阳能电池生产技术领域,尤其是涉及一种太阳能电池镀膜设备及太阳能电池链式生产设备。太阳能电池镀膜设备包括传输装置、预热腔室、氧化腔室和镀膜腔室;传输装置用于将载板依次传输至预热腔室、氧化腔室和镀膜腔室;预热腔室的出口与氧化腔室的进口之间设置有第一封闭腔室,第一封闭腔室的内部设置有第一隔离机构,第一隔离机构用于使预热腔室与氧化腔室连通或断开;氧化腔室的出口与镀膜腔室的进口之间设置有第二封闭腔室,第二封闭腔室的内部设置有第二隔离机构,第二隔离机构用于使氧化腔室与镀膜腔室连通或断开。本发明能够在一个设备中连续对硅片进行镀膜,无需对硅片反复上料和下料,从而降低了硅片的污染程度和破碎率。
技术领域
本发明涉及太阳能电池生产技术领域,尤其是涉及一种太阳能电池镀膜设备及太阳能电池链式生产设备。
背景技术
在太阳能电池生产过程中,氧化硅钝化层和非晶硅镀膜层的形成对于提升电池转化效率起着至关重要的作用。目前,传统的生产工艺是分两步进行,首先在700-900℃管式火炉里通入氧气,在晶硅片表面慢慢生长出氧化硅钝化层,然后再将晶硅片从管式火炉转移到另一个化学气相沉积腔室中进行沉积非晶硅镀膜层。在将晶硅片在两个设备之间转移的过程中,需要对晶硅片多次上料和下料,操作繁琐,不仅增加了晶硅片的污染程度和破碎率,同时也导致生产效率下降,制造成本升高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳能电池镀膜设备,以解决在现有镀膜过程中由于需要对晶硅片多次上料和下料而导致的晶硅片的污染程度和破碎率高、生产效率低的技术问题。
本发明的目的还在于提供一种太阳能电池链式生产设备,以解决现有的太阳能电池生产设备存在的由于需要对晶硅片多次上料和下料而导致的晶硅片的污染程度和破碎率高、生产效率低技术问题。
基于上述第一目的,本发明提供了一种太阳能电池镀膜设备,包括传输装置、预热腔室、氧化腔室和镀膜腔室;
所述传输装置用于将载板依次传输至所述预热腔室、所述氧化腔室和所述镀膜腔室;
所述预热腔室的出口与所述氧化腔室的进口之间设置有第一封闭腔室,所述第一封闭腔室的内部设置有第一隔离机构,所述第一隔离机构用于使所述预热腔室与所述氧化腔室连通或断开;
所述氧化腔室的出口与所述镀膜腔室的进口之间设置有第二封闭腔室,所述第二封闭腔室的内部设置有第二隔离机构,所述第二隔离机构用于使所述氧化腔室与所述镀膜腔室连通或断开。
进一步的,所述第一隔离机构和所述第二隔离机构均为阀门。
进一步的,所述阀门为真空闸阀。
进一步的,所述第一隔离机构为第一隔板,所述第二隔离机构为第二隔板;所述第一封闭腔室的内部设置有第一伸缩装置,所述第一伸缩装置用于使所述第一隔板打开或关闭;所述第二封闭腔室的内部设置有第二伸缩装置,所述第二伸缩装置用于使所述第二隔板打开或关闭。
进一步的,所述第一伸缩装置为气缸、液压缸或电动缸;所述第二伸缩装置为气缸、液压缸或电动缸。
进一步的,所述氧化腔室的内部设置有等离子体发生器和第一加热装置,所述等离子体发生器位于所述氧化腔室的进口处,所述第一加热装置位于所述传输装置的上方,用于对硅片进行加热;所述氧化腔室的底板上设置有用于与真空泵连通的抽口,所述抽口靠近所述氧化腔室的出口处。
进一步的,所述氧化腔室的内部设置有导流板,所述导流板位于所述等离子体发生器的上方,用于使所述等离子体发生器产生的等离子体进入所述第一加热装置与所述硅片之间。
进一步的,所述氧化腔室的内部设置有第二加热装置,所述第二加热装置位于所述传输装置的下方,用于对所述硅片进行加热。
进一步的,所述第一加热装置为红外线加热管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的