[发明专利]一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法以及电池片制备工艺

权利要求书

1.一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)配制初配液：将HF：HNO3：DI水按照1：5：2的比例进行制配；

步骤2)添加初配液：将步骤1)中配制好的初配液加入到制绒槽中，并调整制绒槽带速为1.2、温度为12℃；

步骤3)加入添加剂：按一定速率向制绒槽内加入无醇制绒添加剂；

步骤4)放入电池片：将多晶硅片放入制绒槽内进行制绒。

2.根据权利要求1所述的一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法，其特征在于：步骤3)中无醇制绒添加剂的添加速率为10-45L/min。

3.根据权利要求1所述的一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法，其特征在于：步骤1)中HF浓度为70-90g/L，HNO3浓度为540-600g/L。

4.一种使用权利要求1所述制绒方法的电池片制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、制绒：按照上述制绒方法对多晶硅片进行制绒腐蚀，将制绒腐蚀后的多晶硅片经碱洗、酸洗、水洗后下料，并使得制绒后多晶硅片的腐蚀量为0.01-0.32g、反射率保持在23％以下；

S2、扩散：经S1后的多晶硅片表面通过POCL3液态扩散源热扩散法制备P-N结，调整扩散温度为830℃、时间为300min，并将方阻控制在86-92Ω/□；

S3、刻蚀：经S2后的多晶硅片放入刻蚀槽内，并向刻蚀槽内加入常规的HNO3与HF的混合刻蚀液，调整刻蚀温度为5-9℃，降低刻蚀槽带速，将刻蚀后的多晶硅片经碱洗、酸洗、水洗以及烘干后下料，使得硅片刻蚀量控制在1.3-1.6g；

S4、镀膜：在经S3后的多晶硅片的正表面用PECVD沉积氮化硅，使得镀膜厚度控制在77-81nm、折射率控制在2.07-2.13；

S5、丝印：在经S4后的多晶硅片上依次印刷背面电极、背面电场以及正面电极。

5.根据权利要求4所述的一种电池片制备工艺，其特征在于：S3中HF浓度为40-50g/L，HNO3浓度为340-390g/L。

6.根据权利要求4所述的一种电池片制备工艺，其特征在于：S5中正面电极的副栅线要与金刚线切割痕平行。