[发明专利]基区Ge组分分段分布的SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器

权利要求书

1.基区Ge组分分段分布的SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器，其特征在于包括：

Si衬底；在Si衬底上依次制备出的Si亚集电区、Si集电区、SiGe基区/吸收层、多晶Si发射区；探测器的光窗口位于SiGe基区/吸收层；SiGe基区/吸收层的Ge组分分段分布，从发射结异质结到集电结异质结依次分为四段，其第一段的厚度介于0.02μm到0.05μm之间，Ge组分介于0到20％之间，其第二段的厚度介于0.03μm到0.06μm之间，Ge组分介于20％到50％之间，其第三段的厚度介于0.06μm到0.09μm之间，Ge组分介于50％到80％之间，其第四段的Ge组分线性减少到0，厚度介于0.02μm到0.03μm之间。

2.根据权利要求1所述的基区Ge组分分段分布的SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器，其特征在于：SiGe基区/吸收层的Ge组分分段分布中第一段、第二段和其第三段，Ge组分的分布是均匀或渐变或均匀与渐变相组合的形式。