[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710437128.8 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108987456B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 鹿内洋志;鹫谷哲;大野阳平;保立伦则;熊仓弘道 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 田勇;陶海萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
碳化硅漂移层，其具有第一导电类型；
掩埋碳化硅层，其具有第二导电类型，所述掩埋碳化硅层位于所述碳化硅漂移层内；
氧化物半导体层，其具有所述第一导电类型；其中，所述掩埋碳化硅层被所述氧化物半导体层覆盖；所述氧化物半导体层的带隙大于碳化硅层的带隙；所述氧化物半导体层包括氧化锌和/或氧化锡；以及
保护层，其配置在所述氧化物半导体层上以进行层间绝缘。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一导电类型是n-掺杂，所述第二导电类型是p-掺杂。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层的第一表面与所述保护层接触，并且所述氧化物半导体层的第二表面与所述掩埋碳化硅层接触；
所述保护层包括氧化硅和/或氮化硅和/或氮氧化硅。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还包括：
电极，其配置在所述碳化硅漂移层上。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述电极不与所述氧化物半导体层接触；
在所述电极与所述氧化物半导体层之间配置保护层；或者，在所述电极与所述氧化物半导体层之间配置间隙。
6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其中，所述电极与所述掩埋碳化硅层接触。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还包括：
碳化硅基板，其具有所述第一导电类型；其中，所述碳化硅漂移层被配置在所述碳化硅基板上。
8.一种半导体装置的制造方法，所述方法包括：
提供具有第一导电类型的碳化硅漂移层；
提供具有第二导电类型的掩埋碳化硅层，所述掩埋碳化硅层位于所述碳化硅漂移层内；
提供具有所述第一导电类型的氧化物半导体层；其中，所述掩埋碳化硅层被所述氧化物半导体层覆盖；所述氧化物半导体层的带隙大于碳化硅层的带隙；所述氧化物半导体层包括氧化锌和/或氧化锡；以及
提供配置在所述氧化物半导体层上以进行层间绝缘的保护层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述方法还包括如下的一个或多个步骤：
提供配置在所述碳化硅漂移层上的电极；
提供具有所述第一导电类型的碳化硅基板；其中，所述碳化硅漂移层被配置在所述碳化硅基板上。
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