[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底中的第一阱区，所述第一阱区中具有第一阱离子；

位于所述衬底中的第二阱区，所述第二阱区中具有第二阱离子；

位于所述衬底中的第三阱区，所述第三阱区与所述第二阱区接触，所述第三阱区中具有第三阱离子，所述第三阱离子与第二阱离子的导电类型相同；

位于所述第一阱区和第三阱区之间衬底中的第四阱区，所述第四阱区中具有第四阱离子，所述第四阱离子与所述第三阱离子的导电类型相反；

位于所述第三阱区上的器件结构；

位于所述第一阱区中的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区分立，所述第一掺杂区和第二掺杂区中具有第一掺杂离子，所述第一掺杂离子与所述第一阱离子导电类型相反，所述第一掺杂区与所述器件结构电连接；

位于所述第二阱区中的第三掺杂区，所述第三掺杂区与所述第二掺杂区电连接。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阱区、第二阱区、第三阱区和第三阱区底部的衬底中具有衬底离子，所述第一阱离子与所述衬底离子导电类型相反。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底离子为P型离子或N型离子。

4.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三阱离子为N型离子或P型离子。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三掺杂区中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第二阱离子的导电类型相反。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述器件结构两侧的第三阱区中具有源漏掺杂区，所述源漏掺杂区中具有源漏离子，所述源漏离子与所述第三阱离子的导电类型相反。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述器件结构包括：位于所述第三阱区上的栅介质层；位于所述栅介质层上的栅极。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：连接所述器件结构的器件插塞；连接所述第一掺杂区的第一插塞；连接所述第二掺杂区的第二插塞；连接所述第三掺杂区的第三插塞；连接所述第一插塞与器件插塞的第一连接线；连接所述第二插塞与第三插塞的第三连接线。

9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成第一阱区、第二阱区、第三阱区和第四阱区，所述第四阱区位于所述第三阱区和第一阱区之间，所述第二阱区与所述第三阱区接触，所述第一阱区中具有第一阱离子，所述第二阱区中具有第二阱离子，所述第三阱区中具有第三阱离子，所述第三阱离子与第二阱离子的导电类型相同，所述第四阱区中具有第四阱离子，所述第四阱离子与所述第三阱离子的导电类型相反；

在所述第三阱区上形成器件结构；

在所述第一阱区中形成第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区分立，所述第一掺杂区和第二掺杂区中具有第一掺杂离子，所述第一掺杂离子与所述第一阱离子导电类型相反，所述第一掺杂区与所述器件结构电连接；

在所述第二阱区中形成第三掺杂区所述第三掺杂区与所述第二掺杂区电连接。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阱区、第二阱区、第三阱区和第三阱区底部的衬底中具有衬底离子，所述第一阱离子与所述衬底离子导电类型相反。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底离子为P型离子或N型离子。

12.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阱离子与所述第三阱离子的导电类型相同；

通过第一离子注入在所述衬底中形成所述第一阱区、第二阱区和第三阱区；

通过第二离子注入在所述衬底中形成第四阱区。