[发明专利]一种薄膜晶体管、其制作方法及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的有源层，源漏极层，以及设置在所述有源层和所述源漏极层之间的绝缘层；其中，

所述源漏极层通过所述绝缘层上的过孔与所述有源层进行连接；

所述绝缘层的材料包括储氢材料；

所述薄膜晶体管还包括：设置在所述有源层上背离所述衬底基板一侧的栅极绝缘层，以及设置在所述有源层和所述源漏极层之间的栅极；

所述绝缘层设置在所述栅极与所述有源层之间；

且，所述绝缘层与所述栅极绝缘层相邻；

所述薄膜晶体管还包括：设置在所述源漏极层上靠近所述衬底基板一侧的平坦化层；

所述绝缘层和平坦化层为相邻的两个膜层；

所述平坦化层的材质为有机材料；

所述绝缘层的厚度为6纳米-15纳米；

所述绝缘层的材料包括氟钛酸铵-氧化石墨烯。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层的储氢量范围为1wt％-5wt％。

3.一种显示装置，其特征在于，该显示装置包括权利要求1-2任一项所述的薄膜晶体管。

4.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成有源层；

在所述有源层上涂覆包含绝缘材料的混合溶液；其中，所述绝缘材料包括储氢材料；

将涂覆有混合溶液的衬底基板进行烘烤处理，使所述混合溶液中的溶剂挥发，形成固态的绝缘层；

在所述绝缘层上形成源漏极层，且使所述源漏极层通过所述绝缘层上的过孔与所述有源层进行连接；

形成固态的绝缘层之后，在所述绝缘层上形成源漏极层之前，该方法还包括：

采用氢气等离子体轰击工艺，对所述绝缘层进行处理，使所述绝缘层中储存氢原子；

对储存氢原子后的绝缘层进行氢化处理，以使所述绝缘层中储存的氢原子迁移到所述有源层中；

其中，氢化处理是在高温反应腔室里面进行，在25摄氏度-350摄氏度下进行烘烤。