[发明专利]支撑台、改善晶圆或外延生长晶圆表面的顶针痕迹的方法

权利要求书

1.一种支撑台，其特征在于，所述支撑台包括：

基座，所述基座设有多个开孔；

顶针，所述顶针的数量与所述开孔的数量相同，所述顶针对应设置在所述开孔中用于支撑晶圆；

涂层，所述涂层涂覆于所述开孔中；其中，所述涂层为硅层，且所述涂层的厚度在3um以上。

2.如权利要求1所述的支撑台，其特征在于，所述开孔与所述顶针的数量均为三个，三个所述开孔在所述基座上呈三角形排布。

3.一种改善晶圆表面的顶针痕迹的方法，其特征在于，所述改善晶圆表面的顶针痕迹的方法包括：

提供一支撑台，所述支撑台包括基座和多个顶针，所述基座设有多个开孔，所述顶针对应设置在所述开孔中用于支撑晶圆；

对所述支撑台进行涂层工艺，使所述开孔中形成涂层；

采用经过涂层工艺后的支撑台对待处理晶圆进行支撑；

其中，所述涂层为硅层，且所述涂层的厚度在3um以上。

4.如权利要求3所述改善晶圆表面的顶针痕迹的方法，其特征在于，所述涂层工艺采用的材料包括三氯氢硅、硅烷或二氯硅烷以及氢气。

5.如权利要求4所述改善晶圆表面的顶针痕迹的方法，其特征在于，在所述涂层工艺中，所述三氯氢硅的流量为14slm～25slm，所述氢气的流量为20slm～70slm。

6.如权利要求4所述改善晶圆表面的顶针痕迹的方法，其特征在于，所述三氯氢硅的纯度在99.99％以上。

7.如权利要求5或6所述改善晶圆表面的顶针痕迹的方法，其特征在于，所述涂层工艺的温度条件为：1100℃～1150℃。

8.如权利要求5或6所述改善晶圆表面的顶针痕迹的方法，其特征在于，所述涂层工艺的执行时间在20s以上。

9.如权利要求3所述改善晶圆表面的顶针痕迹的方法，其特征在于，所述改善晶圆表面的顶针痕迹的方法还包括：

在进行所述涂层工艺前，对所述支撑台进行刻蚀工艺。

10.一种改善外延生长晶圆表面的顶针痕迹的方法，其特征在于，所述改善外延生长晶圆表面的顶针痕迹的方法包括：

提供一支撑台，所述支撑台包括基座和多个顶针，所述基座设有多个开孔，所述顶针对应设置在所述开孔中用于支撑晶圆；

对所述支撑台进行涂层工艺，使所述开孔中形成涂层；

采用经过涂层工艺后的支撑台对待处理晶圆进行支撑；

对所述待处理晶圆进行外延生长工艺形成外延层；

其中，所述涂层为硅层，且所述涂层的厚度在3um以上。

11.如权利要求10所述改善外延生长晶圆表面的顶针痕迹的方法，其特征在于，所述晶圆为P型晶圆或N型晶圆。

12.如权利要求10所述改善外延生长晶圆表面的顶针痕迹的方法，其特征在于，所述外延层的厚度为1um～10um，所述外延层的电导率为8Ωcm～12Ωcm。