[发明专利]一种制备核‑壳结构的高介低损钛酸铜钙基陶瓷的方法在审

专利信息
申请号: 201710439314.5 申请日: 2017-06-12
公开(公告)号: CN107216144A 公开(公告)日: 2017-09-29
发明(设计)人: 郝文涛;孙礼;吴辉;王明文;杨帅;曹恩思;张雍家 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: C04B35/465 分类号: C04B35/465;C04B35/628
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 代理人: 朱源
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 制备 结构 高介低损钛酸铜钙基 陶瓷 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种电介质陶瓷的制备方法,尤其是涉及一种制备核-壳结构的高介低损的钛酸铜钙基陶瓷的方法。

背景技术

高介电常数材料为实现滤波器、谐振器、存储器和电容器等重要电子器件的尺寸微型化和高性能化提供了可能,受到广泛的关注。钛酸铜钙(CaCu3Ti4O12,CCTO)是几年发现的较为典型、较有代表性的高介电材料,其不论单晶还是陶瓷都具有高达104的介电常数,介电常数在较宽的频率范围(10 Hz ~ 100 kHz)和较广的温度范围(100 ~ 350 K)基本保持不变。但是CCTO陶瓷在具有很高的低频介电常数的同时,其低频介电损耗也很高(> 0.1),会导致器件大量发热,限制了其应用。

对于降低CCTO陶瓷的低频介电损耗,目前研究者们主要采取的方法是掺杂改性和微观结构调控。例如,【Appl. Phys. Lett., 87 2005 032902】、【Appl. Phys. Lett., 87 2005 182911】、【Phys. Stat. Sol. (a), 203 2006 22】、【中国专利200710009111.9】、【J. Appl. Phys. 117 2015 094103】等。但是这些实验不是没有足够程度的降低CCTO陶瓷的低频介电损耗,就是在明显降低CCTO陶瓷的低频介电损耗的同时,也使CCTO陶瓷的低频介电常数大幅度的降低。

发明内容

本发明为解决目前在降低CCTO陶瓷低频介电损耗时,其低频介电常数也大幅度降低的技术问题,提供一种制备核-壳结构的高介低损钛酸铜钙基陶瓷的方法。

本发明是采用以下技术方案实现的:一种制备核-壳结构的高介低损钛酸铜钙基陶瓷的方法,包括如下步骤:(1)以硝酸钙、硝酸铜和钛酸四丁酯为原料,添加柠檬酸后利用溶胶-凝胶法制备CCTO粉体:首先按照CaCu3Ti4O12的化学计量比精确称量硝酸钙、硝酸铜、钛酸四丁酯,再按照柠檬酸:阳离子=1:1.2的摩尔比称取柠檬酸,然后把上述原料充分溶解于乙醇中混合均匀,并利用硝酸将溶液的pH值调至2 ~ 3;溶液经过磁力搅拌之后,放置于80°C的恒温中,直到溶液形成胶体,然后在100°C的恒温中保温,直到胶体变为干凝胶;将干凝胶在750°C的大气中煅烧2小时,得到CCTO粉体;(2)接下来按照CCTO/xTiO2的化学计量比精确称量CCTO粉体和钛酸四丁酯,同时再按照柠檬酸:阳离子=1:1.2的摩尔比称取柠檬酸,并将它们置于乙醇中充分搅拌,乙醇质量为CCTO粉体和钛酸四丁酯总质量的五倍,形成悬浊液,其中x=0.5或1或2;悬浊液经过磁力搅拌之后,再次放置于80°C的恒温中保温,直到溶液形成胶体,然后在100°C的恒温中保温,直到胶体变为干凝胶,最后在750°C的大气中煅烧2小时,得到CCTO/TiO2混合粉体;(3)将混合粉体经过充分研磨后,在150 MPa的压强下压制成片状,然后在1080°C下烧结10小时得到CCTO/xTiO2陶瓷。

通过对CCTO陶瓷进行阻抗谱等测试,确定CCTO陶瓷的电学是不均匀的,其晶粒具有半导性,晶界具有绝缘性。基于此结果,内部阻挡层电容效应(IBLC)似乎是CCTO陶瓷高介电性质来源的最合理解释。根据IBLC效应,增加晶界电阻是一种有效的降低CCTO陶瓷在低频区间介电损耗的方法。

氧化物TiO2具有很好的绝缘性,本发明将TiO2纳米粉末包覆在CCTO陶瓷微粉的外表面,制备具有“核-壳”结构的CCTO/xTiO2复合陶瓷,然后将复合陶瓷在氧气中进行退火处理,以增加复合陶瓷晶界的绝缘性,降低陶瓷的低频介电损耗。

采用本发明所述的原料、原料配比以及相应的工艺以及工艺参数(如温度)才能够制备出本申请所述的具有“核-壳”结构的CCTO/xTiO2复合陶瓷,并且能够增加复合陶瓷晶界的绝缘性,降低陶瓷的低频介电损耗。

本发明的有益效果:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太原理工大学,未经太原理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710439314.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code