[发明专利]用于测量表面瞬态温度的片状薄膜热电偶测温系统及应用在审
申请号: | 201710441262.5 | 申请日: | 2017-06-13 |
公开(公告)号: | CN107101735A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 李振伟;朱熙;王晶;周艳;刘畅;侯亚琴;高庆华 | 申请(专利权)人: | 北京卫星环境工程研究所 |
主分类号: | G01K1/08 | 分类号: | G01K1/08;G01K1/14;G01K1/02;G01K7/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100094 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 测量 表面 瞬态 温度 片状 薄膜 热电偶 测温 系统 应用 | ||
1.用于测量表面瞬态温度的片状薄膜热电偶,包括热电偶整体结构及绝缘保护层结构,其中,热电偶整体结构包括陶瓷基体,在陶瓷基体上并列镀覆铂铑30薄膜热电极和铂铑6薄膜热电极,两个热电极一侧通过热结点电连接,并列的铂铑30薄膜热电极和铂铑6薄膜热电极另一侧分别对应通过铂铑30焊盘、铂铑6焊盘焊接铂铑30引出导线和铂铑6引出导线,其中,通过等离子体溅射方式将铂铑30薄膜热电极、铂铑6薄膜热电极镀在陶瓷基体上,绝缘保护层采用导热系数相对较高的A1203材料,在陶瓷基体上完成薄膜热电极镀膜后,将A1203采用镀膜的形式镀在有薄膜热电极的陶瓷基体表面。
2.如权利要求1所述的片状薄膜热电偶,其中,陶瓷基体选用氧化硅、氧化铝、氧化镁或氧化锆。
3.如权利要求1所述的片状薄膜热电偶,其中,陶瓷基体为片状纵长基体,由沿片状陶瓷基体的中心线呈镜像对称设置所述铂铑30薄膜热电极和铂铑6薄膜热电极。
4.如权利要求1所述的片状薄膜热电偶,其中,陶瓷基体采用Al2O3高温陶瓷,将其表面研磨抛光,其厚度约为1±0.1mm。
5.如权利要求1所述的片状薄膜热电偶,其中,所述焊接为激光焊接,实现了热电偶的信号引出,在热电极及焊盘上镀绝缘保护膜。
6.如权利要求1-5任一项所述的片状薄膜热电偶,其中,采用镀膜搭接的方式实现热接点,热结点为测量端。
7.具有权利要求1-6任一项所述片状薄膜热电偶的测温系统,包括片状薄膜热电偶、信号采集模块、温度反演软件、上位计算机,其中,片状薄膜热电偶由片状陶瓷基体、薄膜热接点、铂铑30薄膜热电极、铂铑6薄膜热电极、Al2O3绝缘保护膜组成;片状薄膜热电偶的铂铑30引出导线和铂铑6引出导线分别将铂铑30薄膜热电极和铂铑6薄膜热电极的信号引至信号采集模块,信号采集模块将铂铑30薄膜热电极和铂铑6薄膜热电极的模拟信号转换为数字信号后传送给上位计算机,上位计算机通过温度反演将数字信号转换为温度值输出。
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