[发明专利]显示面板和显示装置有效
申请号: | 201710441732.8 | 申请日: | 2017-06-13 |
公开(公告)号: | CN109087931B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 李贵芳;肖玲;吴赛飞 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人: | 钟宗;王宁 |
地址: | 201506 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板和显示装置。该显示面板包括:基板;像素定义层,位于所述基板上,所述像素定义层将所述显示面板划分为多个像素区域,所述像素区域间的所述像素定义层具有沿垂直于其延伸方向的异型截面,所述异型截面具有至少一个远离所述基板的尖端;有机公共层,位于所述像素区域上和所述像素定义层上,所述有机公共层在所述像素定义层的异型截面的尖端处断开。本发明的显示面板能够克服在较低灰阶点亮时出现的色彩失真现象。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地说,涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
有机电致发光(OLED)显示面板具有功耗低、轻便、亮度高、视野宽和反应快等特点,使其能够广泛应用于便携式电子设备、穿戴式电子设备、车载电子设备等诸多领域中。
参照图1,现有OLED显示面板100包括:基板101;位于基板101上的薄膜晶体管层102,薄膜晶体管层102具有多个薄膜晶体管(未示出);位于薄膜晶体管层102上的平坦化层103;位于平坦化层103上的像素定义层104,像素定义层104将OLED显示面板100划分为多个像素区域,例如红色(R)像素区域100a、绿色(G)像素区域100b和蓝色(B)像素区域100c;位于平坦化层103上的且位于像素区域的阳极层105,阳极层105通过过孔与薄膜晶体管电性连接;位于阳极层105和像素定义层104上的空穴注入层106;位于空穴注入层106上的空穴传输层107;位于空穴传输层107上的且位于像素区域的发光层108;位于发光层108上的电子传输层109;位于电子传输层109上的阴极层110。通过向阳极层105和阴极层110施加一定的电压,空穴从阳极层105通过空穴注入层106注入到空穴传输层107,并传输到发光层108,电子从阴极层110注入到电子传输层109,并传输到发光层108,空穴和电子在发光层108中相遇形成激子复合发光。
现有OLED显示面板中,由材料本身的性质决定,空穴注入层106的空穴迁移率很高,使得空穴在空穴注入层106中存在横向和纵向两种迁移方向。由于R/G/B三种像素的启亮电压依次增大,同时,由于空穴注入层106是一有机公共层(又称共通层),换言之,R/G/B三种像素区域共用同一空穴注入层106,当点亮高启亮电压像素时,例如B像素,空穴能够在空穴注入层106中横向迁移到达R像素区域或G像素区域,能够微微点亮启亮电压低的像素,使得显示面板在较低灰阶点亮时会出现一定程度的色彩失真。
为避免上述情况出现,现有技术中已公开多种方法,例如通过降低空穴注入层106中掺杂比以降低空穴迁移率,以及减薄空穴注入层106的厚度以降低空穴的横向导电能力等。上述方法虽然能够在一定程度上降低空穴的横向迁移能力,但这些方法或多或少会影响到显示面板的性能,例如使得电压升高或效率降低。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明一方面提供一种显示面板,包括:
基板;
像素定义层,位于所述基板上,所述像素定义层将所述显示面板划分为多个像素区域,所述像素区域间的所述像素定义层具有沿垂直于其延伸方向的异型截面,所述异型截面具有至少一个远离所述基板的尖端;
有机公共层,位于所述像素区域上和所述像素定义层上,所述有机公共层在所述像素定义层的异型截面的尖端处断开。
在一些实施例中,所述尖端的截面夹角小于90度。
在一些实施例中,所述有机公共层为空穴注入层。
在一些实施例中,所述显示面板还包括位于所述空穴注入层和所述基板之间的阳极层、以及依次位于所述空穴注入层上的空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层。
在一些实施例中,所述多个像素区域包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域,所述空穴传输层分别对应于所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域的厚度依次减小。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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