[发明专利]一种太阳能电池有效
| 申请号： | 201710442032.0 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN107331713B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 王强 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/054;H01L31/075;H01L31/20 |
| 代理公司： | 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 | 代理人： | 蔡晶晶 |
| 地址： | 226019 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池，从上至下包括依次连接的透明顶电极、P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜、底电极，其特征在于：所述透明顶电极的下表面制有与其材质相同的若干条状凸棱，使顶电极局部形成T型结构，所述凸棱下方的P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜下表面向下凸起形成条状鼓包，对应位置的底电极与透明导电过渡薄膜的接触面具有与凸棱一一对应的条状弧形反射面；所述凸棱的高宽比为1：3～1：2，凸棱之间互相平行，凸棱的间距范围为：1-2um，高度范围为：100-300nm；所述P型非晶硅薄膜中硼元素的掺杂浓度为1017～1019/cm3的；所述本征非晶硅薄膜中无杂质掺杂，所述N型非晶硅薄膜中磷元素的掺杂浓度为1017～1019/cm3，所述P型非晶硅薄膜的沉积厚度范围为：180-220nm，本征非晶硅薄膜的沉积厚度范围为：0.5-1um，N型非晶硅薄膜的沉积厚度范围为：180-220nm。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜的厚度均匀。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于：所述透明顶电极为TCO玻璃，透明顶电极的导电薄膜和透明导电过渡薄膜为掺氟氧化锌或氧化铟硒的薄膜，所述底电极为铝或银材料制成的面状金属电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通大学，未经南通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710442032.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
